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기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계;
상기 비정질 실리콘 박막 상에 보조 박막을 형성하는 단계;
상기 보조 박막 위에 금속 함유 용액을 제공하여 상기 보조 박막 위에 금속이 코팅되도록 하는 단계;
상기 금속이 코팅된 기판을 열처리하는 단계; 및
상기 금속 코팅 및 보조 박막을 제거하는 단계를 포함하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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청구항 1에 있어서,
상기 금속 용액이 니켈을 함유하는 용액인 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 보조 박막이 질화물 박막인 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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4
청구항 3에 있어서,
상기 보조 박막으로서 상기 질화물 박막 위에 비정질 실리콘 박막이 추가로 형성되는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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5
청구항 4에 있어서,
상기 질화물이 SiNx인 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 금속 용액이 딥핑 또는 스핀 코팅에 의해 보조 박막에 제공되는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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7
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 금속 용액이 기판에 상온에서 3-30분 동안 접하도록 제공되는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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8
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 금속 용액이 기판에 70-80℃에서 10-20초 동안 접하도록 제공되는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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9
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 버퍼층이 SiOx막과 SiNx막으로 이루어지는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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10
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 열처리가 급속열처리(RTP) 공정에 의해 이루어지는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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11
청구항 10에 있어서,
상기 급속열처리가 600-650℃에서 1시간 이상 이루어지는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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12
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 비정질 실리콘 박막이 40-80nm 두께로 형성되는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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13
청구항 3에 있어서,
상기 질화막이 10-30㎚ 두께로 형성되는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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14
청구항 4에 있어서,
상기 질화물 박막 위에 형성되는 비정질 실리콘 박막이 2-6㎚의 두께로 형성되는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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