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에피택셜 웨이퍼를 이용한 고품질 이산화 바나듐 박막 합성 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015144393
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자소자 및 광소자에서 채널 물질로 사용되는 VO2 박막의 활용에 있어 요구되는 고품질의 VO2 박막 합성 및 제조 방법에 관한 것으로, RF 스퍼터링 방법을 이용하여 박막을 합성하고, 기판으로 III-V족 에피택셜 웨이퍼 (GaN)를 사용한다. 본 발명의 합성법에 따르면, GaN은 사파이어와 격자 구조가 유사해 고품질의 VO2 박막이 합성되고, 도핑을 통해 전도도 제어가 가능하다는 장점이 있어 VO2 박막 기반 전자소자의 전극으로의 활용이 가능하며 및 GaN이 가지고 있는 광소자로서의 활용에 이점을 가지고 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020140034989 (2014.03.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0111563 (2015.10.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강대준 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 양형우 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0288077-56
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
VO2 박막을 준비하는 준비단계;III-V족 에피택셜 웨이퍼를 기판으로 이용하여 상기 기판 위에 VO2 박막을 합성하는 제조단계를 포함 하는 것을 특징으로 하는 고품질 VO2 박막의 합성 및 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 III-V족 에피택셜 웨이퍼는 GaN, GaAs, AlGaAs, InGaP 등 질화물 반도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인, III-V족 에피택셜 웨이퍼를 이용한 VO2 박막의 합성 및 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 III-V족 에피택셜 웨이퍼는 GaN, GaAs, AlGaAs, InGaP 등 질화물 반도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인, III-V족 에피택셜 웨이퍼를 이용한 VO2 박막의 합성 및 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 VO2박막은 금속-절연체 상전이를 통해 104 이상 저항 변화 및 70% 이상의 IR 영역 빛의 차단이 일어나는 것인, III-V족 에피택셜 웨이퍼를 이용한 VO2 박막의 합성 및 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.