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그래핀 시트;상기 그래핀 시트 상에 형성되고 질화붕소로 형성된 나노박막; 및상기 나노박막 상에 형성되고, 상기 나노박막에 의해 수직 방향으로 성장되며 금속 산화물로 형성된 나노로드를 포함하는 반도체층을 포함하되,나노박막과 반도체층 사이에 붕소(B)-산소(O)-금속의 결합이 형성된 것을 특징으로 하는,다이오드 구조체
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제1항에 있어서, 상기 나노로드는산화아연, 산화티타늄, 산화주석, 산화텅스텐, 산화지르코늄 및 산화마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 구조체
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제1항에 있어서,상기 나노박막이 상기 그래핀 시트와 상기 반도체층 각각과 접합된 절연체로서, 도전체-절연체-반도체 접합 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 다이오드 구조체
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제1항에 있어서,상기 나노박막은 0
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그래핀 시트를 제조하는 단계;상기 그래핀 시트 상에 질화붕소를 포함하는 나노박막을 형성하는 단계; 및상기 나노박막에 의해 수직 방향으로 금속 산화물로 형성된 나노로드를 성장시켜 반도체층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반도체층을 형성하는 단계에서 상기 나노박막과 상기 반도체층 사이에 붕소(B)-산소(O)-금속의 결합이 형성되는 것을 특징으로 하는,다이오드 구조체의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 나노로드는산화아연, 산화티타늄, 산화주석, 산화텅스텐, 산화지르코늄 및 산화마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 구조체의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 나노박막은 상기 나노로드들을 수직 성장시키는 템플릿(template)인 것을 특징으로 하는 다이오드 구조체의 제조 방법
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그래핀 전극;상기 그래핀 전극 상에 형성되고 질화붕소로 형성된 나노박막;상기 나노박막 상에 형성되고, 상기 나노박막에 의해 수직 방향으로 성장되며, 금속 산화물로 형성된 나노로드를 포함하는 반도체층; 및상기 반도체층 상에 형성되고, 상기 그래핀 전극과 마주하는 대향 전극을 포함하되,상기 나노박막과 상기 반도체층 사이에 붕소(B)-산소(O)-금속의 결합이 형성된 것을 특징으로 하는,포토 센서
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제8항에 있어서,상기 나노로드는산화아연, 산화티타늄, 산화주석, 산화텅스텐, 산화지르코늄 및 산화마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 센서
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제8항에 있어서,상기 반도체층에 압력을 가하여 구동하는 것을 특징으로 하는 포토 센서
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