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반도체 기판 관통형 전극 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145314
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판 관통형 전극 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판을 식각하여 관통홀을 형성하는 단계, 유리 기판의 상부에 금속층을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판과 상기 유리 기판을 접합하는 단계, 상기 관통홀을 도금하여 상기 관통홀 내에 도금층을 매립하는 단계, 상기 유리 기판을 제거하는 단계 및 상기 금속층을 제거하는 단계를 포함한다.따라서, 본 발명은 관통홀을 도금하기 위한 공정이 단순하여 공정 수율의 향상 및 공정 비용을 절감할 수 있으며, 반도체 기판에 작용하는 스트레스를 최소화하여 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.관통형 전극, 유리 기판, 도금층
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01)
출원번호/일자 1020060039039 (2006.04.28)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0755436-0000 (2007.08.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이대성 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 박광범 대한민국 경기 용인시 기흥구
3 조남규 대한민국 경기 용인시 기흥구
4 김건년 대한민국 경기 오산시
5 김원효 대한민국 경기 용인시 구
6 이강열 대한민국 경기 용인시 기흥구
7 김용국 대한민국 서울 강서구
8 조우성 대한민국 경기 군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 리뷰안 주식회사 서울특별시 금천구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0304131-24
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0076012-43
3 의견서
Written Opinion		 2007.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0270100-12
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.04.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0270082-88
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0319975-63
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판을 식각하여 관통홀을 형성하는 단계;유리 기판의 상부에 금속층을 형성하는 단계;상기 관통홀의 저면에 상기 금속층이 위치하도록 상기 반도체 기판과 상기 유리 기판을 접합하는 단계;상기 관통홀을 도금하여 상기 관통홀에 도금층을 매립하는 단계;상기 유리 기판을 제거하는 단계; 및상기 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 기판 관통형 전극 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 접합은 350℃ 내지 420℃의 온도와 피스톤 압력을 가하여 공용 접합을 수행하는 반도체 기판 관통형 전극 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 유리 기판의 제거는,그라인딩 후 잔류한 유리막을 희석된 불산에 침지하여 제거하는 반도체 기판 관통형 전극 제조방법
4 4
제 1 반도체 기판을 식각하여 관통홀을 형성하는 단계;제 2 반도체 기판의 상부에 전도성 물질이 분산된 고분자층을 형성하는 단계;상기 제 1 반도체 기판과 상기 제 2 반도체 기판을 접합하는 단계;상기 관통홀을 도금하여 상기 관통홀 내에 도금층을 매립하는 단계;상기 제 1 반도체 기판 및 상기 제 2 반도체 기판에 열을 가하여 분리하는 단계; 및 분리된 상기 제 1 반도체 기판에 잔류한 고분자를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 기판 관통형 전극 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 고분자층은 열가소성 물질인 반도체 기판 관통형 전극 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.