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(a) 실리콘 기판 상에 열산화막을 적층하고, 상기 열산화막 상에 니켈 박막을 증착하는 단계;(b) 상기 니켈 박막 상에 플라즈마 보조 화학적 증착 층을 증착시키는 단계; (c) 상기 증착된 플라즈마 보조 화학적 증착 층 상에 게이트 영역을 설정하여 패터닝하고 금속층을 증착하는 단계; (d) 상기 금속층을 리프트 오프시켜 게이트 금속 박막층을 형성하고, 상기 게이트 금속 박막층 상에 게이트 절연막을 증착시키는 단계; 및(e) 상기 게이트 절연막 상에 스퍼터링하여 비결정질 이그조(IGZO) 층을 증착하는 단계;(f) 상기 비결정질 이그조(IGZO) 층 중 액티브 영역 및 상기 게이트 절연막을 에칭하는 단계;(g) 상기 비결정질 이그조(IGZO) 층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한 후 열 박리 테이프를 부착하는 단계;(h) 탈이온수를 이용하여 상기 니켈 박막을 박리하는 단계; (i) 상기 니켈 박막을 에칭하고 세척한 후 폴리비닐 알코올 박막 위에 전사하는 단계; 및(j) 열판 상에 위치시켜 상기 열 박리 테이프를 박리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는상기 니켈 박막을 전자-총 증착(e-gun evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 니켈 박막의 두께는 250 내지 350 nm인 것을 특징으로 하는 비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (g) 단계는반응 이온 에칭에 의해 상기 게이트 절연막을 관통하는 비아를 형성하는 단계; 전자 빔 증착, 포토리소그라피 및 리프트 오프 공정을 통하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계; 및소정의 온도로 어닐링하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는,비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은몰리브덴 층 또는 텅스텐 층인 것을 특징으로 하는,비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 두께는60 내지 80 nm인 것을 특징으로 하는,비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 리프트 오프 대신 금속층 역 에칭을 통하여 상기 게이트 금속 박막층을 형성하는 것을 특징으로 하는,비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (e) 단계는상기 스퍼터링 타겟의 몰 비율을 Ga2O3 : In2O3 : ZnO 을 1:1: 1 mole %로 하고, 실온에서 아르곤(Ar) 내 3 내지 7 mtorr의 압력으로 수행하는 것을 특징으로 하는,비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 폴리비닐 알코올의 분자량은10,000 내지 31,000 인 것을 특징으로 하는,비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 폴리비닐 알코올 박막은상기 분자량을 가진 폴리비닐 알코올을 순수한 탈이온수에 용해시키는 단계; 상기 용해된 폴리비닐 알코올 용액을 상온까지 냉각시켜 추출하는 단계; 상기 추출된 용액을 플라스틱 용기에 담아 소정의 초기 높이가 되도록 하는 단계;상기 플라스틱 용기를 진공 컨테이너에 넣고 펌핑하여 상기 용해된 폴리비닐 알코올 용액 내에 존재하는 기포를 제거하는 단계; 및 상기 기포가 제거된 폴리비닐 알코올 용액을 대류 오븐 또는 열판에서 수분을 제거하는 단계; 를 통하여 제조되는 것을 특징으로 하는,비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 대류 오븐 또는 상기 열판의 온도는섭씨 50 내지 80도인 것을 특징으로 하는,비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 트랜젼트 반도체의 용해 역학은 탈 이온수 또는 소 혈청을 이용하여 측정되는 것을 특징으로 하는,비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (i) 단계는상기 폴리비닐 알코올 대신 폴리 락티코-글리콜릭 산, 폴리 락틱 산 공중합체, 폴리 글리콜릭 산 및 폴리 카프로락톤 중 어느 하나일수 있는 것을 특징으로 하는,비결정질 이그조(IGZO) TFT 기반 트랜젼트 반도체의 제조 방법
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