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반도체 양자점 특성 조절을 위한 2단계 성장중지 방법

  • 기술번호 : KST2015158757
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물 반도체 기판 상부에 화합물반도체 버퍼층을 성장시키고, 그 버퍼층 상부에 양자점 결정층을 성장시킨 후, 제1단계 성장중지 공정을 적용하여 양자점 결정층을 입체적인 형상을 갖도록 한 다음에 제2단계 성장중지 공정을 적용하여 양자점 결정층의 입체적인 형상을 조절하는 양자점 형성방법을 나타낸다. 즉, 제1단계 및 제2단계 성장중지공정을 적용하여 화합물반도체 격자부정합 이종접합 구조의 양자점 구조의 특성을 증착 반응기 내에서 직접 조절할 수 있고 신뢰도와 성능이 우수한 양자점을 형성할 수 있다. 위의 제1단계 및 제2단계 성장중지 공정을 적용하여 형성된 화합물반도체 격자부정합 이종접합 구조의 양자점 구조를 응용한 광전소자는 기존의 표준 공정을 그대로 활용할 수 있다.화합물 반도체, 양자점, 성장중지공정, 제1단계 성장중지 공정, 제2단계 성장중지 공정, 격자부정합, 광전소자
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02609(2013.01) H01L 21/02609(2013.01) H01L 21/02609(2013.01) H01L 21/02609(2013.01) H01L 21/02609(2013.01) H01L 21/02609(2013.01) H01L 21/02609(2013.01) H01L 21/02609(2013.01) H01L 21/02609(2013.01) H01L 21/02609(2013.01)
출원번호/일자 1020010049937 (2001.08.20)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0430813-0000 (2004.04.28)
공개번호/일자 10-2003-0016034 (2003.02.26) 문서열기
공고번호/일자 (20040510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.08.20)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤의준 대한민국 서울특별시강남구
2 윤석호 대한민국 서울특별시노원구
3 황희돈 대한민국 서울특별시관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁록 대한민국 서울특별시 종로구 경희궁길 **, *층 리앤권법률특허사무소 (신문로*가, 서광빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2001-0207240-11
2 보정통지서
Request for Amendment		 2001.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2001-0042462-63
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-5272734-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2003-0023491-26
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0251970-14
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0272389-97
8 의견서
Written Opinion		 2003.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2003-0272385-15
9 출원인 변경 신고서
Applicant change Notification		 2003.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2003-0392693-43
10 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2003.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-0405105-24
11 보정통지서
Request for Amendment		 2003.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2003-0068103-65
12 등록결정서
Decision to grant		 2004.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0070101-65
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1

화합물 반도체 기판 상부에 상기 화합물 반도체 기판보다 격자상수가 1%이상 큰 양자점 결정층을 성장시키는 단계;

상기 양자점 결정층에 제1단계 성장중지 공정을 적용하여 입체적인 모양의 양자점을 형성하는 단계;

상기 양자점에 제2단계 성장중지 공정을 적용하여 상기 양자점의 입체적인 형상을 조절하는 단계;

상기 양자점 구조 위에 상기 양자점 결정층보다 보다 격자상수가 작은 덮개층을 성장하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 양자점 형성방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기화합물반도체 기판상부에 상기의 양자점 결정층을 성장시키기전에 상기반도체 기판과 격자상수가 1%이하의 차이를 갖는 화합물반도체 버퍼층을 성장시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 화합물 반도체 양자점 형성방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 화합물 반도체 기판은 InP, GaAs, GaN 등이고, 상기 화합물 반도체 버퍼층은 InP, GaAs, GaN, InGaAs, InAlAs, AlGaAs 등이고, 상기 양자점 결정층은 InAs, InGaAs, InSb, InGaSb, InGaN 등임을 특징으로 하는 화합물 반도체 양자점 형성방법

4 4

제 1 항에 있어서,

제1단계 성장중지 공정에서 상기 양자점 결정층 물질의 5족 원소와 동일한 원소를 함유하는 5족 원료가스를 주입함을 특징으로 하는 화합물반도체 양자점 형성방법

5 5

제 1 항에 있어서,

제2단계 성장중지 공정에서 상기 양자점 결정층 물질에 포함되어 있지 않은 5족 원소를 함유하는 5족 원료가스 또는 상기 제1단계 성장중지에서 사용한 5족원료가스와 다른 조성의 5족 원료가스를 주입함을 특징으로 하는 화합물반도체 양자점 형성방법

6 6

제 1 항에 있어서,

제1단계 또는 제2단계 성장중지 공정에서 각 성장중지 온도를 400 - 800 ℃ 범위로 함을 특징으로 하는 화합물반도체 양자점 형성방법

7 7

제 1 항에 있어서,

제1단계 또는 제2단계 성장중지 공정에서 각 성장중지 시간을 변화시킴을 특징으로 하는 화합물반도체 양자점 형성방법

8 8

제 1 항에 있어서,

제1단계 또는 제2단계 성장중지 공정에서 각 5족원료가스의 분압을 변화시키는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 양자점 형성방법

9 9

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

각 제1단계 또는 제2단계 성장중지 공정에서 양자점 주변의 반도체 기판 또는 버퍼층에 트렌치를 형성시키는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 양자점 형성방법

10 10

화합물 반도체 기판 상부에 상기 반도체 기판과 격자상수가 1%이내의 차이를 가지는 화합물반도체 버퍼층을 성장시키는 단계;

상기 회합물 반도체 버퍼층 상부에 상기 화합물 반도체 기판과 상기 화합물 반도체 버퍼층보다 격자상수가 1%이상 큰 양자점 결정층을 성장시키는 단계;

상기 양자점 결정층에 제1단계 성장중지 공정을 적용하여 입체적인 모양의 양자점을 형성하는 단계;

상기 양자점에 제2단계 성장중지 공정을 적용하여 상기 양자점의 입체적인 형상을 조절하는 단계;

상기 양자점 구조 위에 상기 양자점 결정층보다 격자상수가 작은 덮개층을 성장하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 양자점 형성방법을 이용하여 제작된 화합물반도체 양자점 적층구조

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.