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덮개층 형성과정에 온도의 변화를 주는 방법을 이용한자발형성 양자점의 수직 적층방법

  • 기술번호 : KST2015158828
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 양자점 구조 형성에 관한 것으로서 양자점 층을 수직으로 적층하는 것에 관한 기술이다. 양자점을 형성하기 위한 여러 가지 방법 중에서 격자상수의 차이(격자 불일치)를 이용한 자발 형성방법(self assembled growth mode)에 의해 성장된 단층 양자점을 수직으로 적층하기 위하여는 양자점층 위에 형성되는 덮개층의 표면의 균일도가 매우 중요하다. 수직으로 적층되는 양자점 각 층의 표면 형상을 각 층별로 일정하게 유지하기 위한 방법으로 양자점을 성장시킨 후 덮개층을 성장시키는 도중에 온도를 고온으로 상승시켜서, 즉 덮개층을 일정한 두께로 성장시킨 후 덮개층 성장온도를 높혀서 나머지 덮개층을 성장시키면 덮개층의 표면 균일도가 향상되며, 이 덮개층 위에 형성되는 양자점층 또한 균일도를 향상시킬 수 있다. 양자점, 양자점층, 덮개층, 양자점의 수직 적층, 자발형성, 표면균일도
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 31/035218(2013.01)
출원번호/일자 1020030022033 (2003.04.08)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0520744-0000 (2005.10.05)
공개번호/일자 10-2004-0087588 (2004.10.14) 문서열기
공고번호/일자 (20051012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.04.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황희돈 대한민국 서울특별시관악구
2 박광민 대한민국 서울특별시동작구
3 윤의준 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁록 대한민국 서울특별시 종로구 경희궁길 **, *층 리앤권법률특허사무소 (신문로*가, 서광빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2003-0123978-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.05.21 수리 (Accepted) 4-1-2003-0029386-64
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.03.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0015751-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0238613-59
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0348427-18
7 의견서
Written Opinion		 2005.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0348424-82
8 등록결정서
Decision to grant		 2005.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0495585-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
반도체 기판에 자발형성 양자점의 수직적층을 이루는 양자점층 형성방법에 있어서, 상기 반도체 기판에 에피택셜방법으로 성장시킨 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 상부에 자발형성방법에 의하여 제1 양자점층을 형성하는 단계, 상기 제1 양자점층 상부에 제1 덮개층을 일정온도에서 일정 두께로 형성하는 단계, 상기 일정두께로 형성된 제1 덮개층 상부에 상기 일정온도보다 높은 온도에서 제2 덮개층을 형성하는 단계, 상기 제2 덮개층 상부에 제2 양자점층을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 양자점 수직적층방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 양자점층의 형성 온도는 500-550℃이고, 제2덮개층의 형성 온도는 600 ℃ 이상임을 특징으로 하는 양자점 수직적층방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 양자점층은 InAs 층이고 고, 제1 및 제2 덮개층은 InP 층임을 특징으로 하는 양자점 수직적층방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 덮개층은 10nm의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 양자점 수직적층방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2 덮개층 상부에 형성되는 제2 양자점층의 형성온도는 상기 제2 덮개층 형성온도보다 낮음을 특징으로 하는 양자점 수직적층방법
6 5
제1항에 있어서, 상기 제2 덮개층 상부에 형성되는 제2 양자점층의 형성온도는 상기 제2 덮개층 형성온도보다 낮음을 특징으로 하는 양자점 수직적층방법
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패밀리정보가 없습니다
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