| 1 |
1
챔버 내에 재치된 기판 상에 3족원 및 질소원을 공급하여 에피층 성장 온도보다 고온에서 질화물 반도체 완충층을 성장시키는 단계; 상기 질화물 반도체 완충층을 2차원의 균일한 두께를 지니는 질화물 반도체 완충층으로 전환시키기 위해 상기 3족원의 공급을 차단하는 성장정지 단계; 상기 성장정지 단계 이후 상기 에피층 성장 온도로 상기 기판의 온도를 낮추는 단계; 및 상기 에피층 성장 온도에서 상기 기판 상에 3족원과 질소원을 공급하여 상기 질화물 반도체 완충층과 동종의 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 질화물 반도체 완충층은 InN 또는 InxGa1-xN(여기서, 0
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 질화물 반도체 완충층의 성장 온도는 700℃ 내지 800℃인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 에피층 성장 온도는 400℃ 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 성장정지 단계 중의 온도는 상기 질화물 반도체 완충층의 성장 온도와 동일하게 유지하며 성장정지 시간은 60초 이내에서 조절하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 성장정지 단계 이후 상기 에피층 성장 온도로 상기 기판의 온도를 낮추는 동안, 상기 질화물 반도체 완충층의 탈착을 방지하기 위하여, 상기 챔버 내로 3족원 및 질소원을 공급하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 공급된 3족원 및 질소원에 의해 증착된 층이 있으면 탈착시키기 위해, 상기 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 단계 전에 상기 에피층 성장 온도에서 상기 3족원의 공급을 중지하는 추가적인 성장정지 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 추가적인 성장정지 단계의 성장정지 시간은 60초 이내에서 조절하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 질화물 반도체 에피층 상에 다른 질화물 반도체 에피층을 덮개층으로서 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 덮개층은 상기 질화물 반도체 에피층보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서, 상기 덮개층은 GaN, AlN 또는 AlGaN 계열의 물질로 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서, 상기 덮개층의 성장 온도는 상기 에피층 성장 온도 이상인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 13 |
13
챔버 내에 재치된 기판 상에 3족원 및 질소원을 공급하여 700℃ 내지 800℃의 고온에서 InN 또는 InxGa1-xN(여기서, 0
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 공급된 3족원 및 질소원에 의해 증착된 층이 있으면 탈착시키기 위해, 상기 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 단계 전에 상기 에피층 성장 온도에서 상기 3족원의 공급을 중지하는 추가적인 성장정지 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 15 |
15
제13항에 있어서, 상기 질화물 반도체 에피층 상에 GaN, AlN 또는 AlGaN 계열의 물질로 덮개층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
| 16 |
15
제13항에 있어서, 상기 질화물 반도체 에피층 상에 GaN, AlN 또는 AlGaN 계열의 물질로 덮개층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
|
