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이종기판 상에 제1 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 단계; 상기 질화물 반도체 에피층 상에 고온에서 금속층으로 전환시킬 수 있는 중간 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 단계; 상기 중간 질화물 반도체 에피층이 유지되는 상태에서 상기 중간 질화물 반도체 에피층 상에 제2 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 단계; 상기 중간 질화물 반도체 에피층을 금속층으로 전환시키는 단계; 및 성장시 발생되는 응력은 상기 금속층을 통해 이완시키면서 상기 제2 질화물 반도체 에피층을 씨앗층으로 하여 제3 질화물 에피층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 이종기판으로는 반도체 기판, 산화물계 기판 혹은 붕화물계 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 이종기판은 Si, SiC, GaAs, Al2O3, 또는 ZrB2 기판인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 중간 질화물 반도체 에피층을 금속층으로 전환시키는 단계는 상기 중간 질화물 반도체 에피층과 상기 제1 및 제2 질화물 반도체 에피층 안의 질소의 평형증기압 차이를 이용하여 상기 중간 질화물 반도체 에피층으로부터 질소를 배출시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 질화물 반도체 에피층은 GaN, AlN, AlGaN 계열로 성장시키고, 상기 중간 질화물 반도체 에피층은 InN 계열 또는 InxGa1-xN(여기서, 0
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제5항에 있어서, 상기 중간 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 단계의 온도는 300℃ 내지 800℃이고, 상기 중간 질화물 반도체 에피층을 금속층으로 전환시키는 단계의 온도는 800℃ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 단계의 온도는 300℃ 내지 800℃인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 질화물 반도체 에피층의 두께는 1 ㎛ 이상으로 하고, 상기 제2 질화물 반도체 에피층의 두께는 1 nm 내지 100 nm로 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
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9
제1항에 있어서, 상기 제2 질화물 반도체 에피층을 패터닝한 후 상기 중간 질화물 반도체 에피층을 금속층으로 전환시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
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10
제1항에 있어서, 상기 금속층을 선택적으로 제거하여 상기 이종기판과 상기 제3 질화물 반도체 에피층 쪽을 분리시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
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제10항에 있어서, 상기 제3 질화물 반도체 에피층 쪽을 분리시키는 단계는, 상기 제3 질화물 반도체 에피층 상에 캐리어 기판을 붙인 후 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
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제10항에 있어서, 상기 제3 질화물 반도체 에피층 쪽을 분리시키는 단계는, 상기 제3 질화물 반도체 에피층 상에 캐리어 기판을 붙인 후 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 에피층 성장 방법
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