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기판, 상기 기판 상에 형성되는 완충층, 및 상기 완충층 상에 형성되는 Pb를 포함하는 페로브스카이트 화합물의 배향성 박막을 포함하는 구조이고,상기에서, 상기 완충층은 질산 란타늄 완충층, 질산 란타늄 가열 중간체 상의 완충층 및 그것들의 혼합물로 된 완충층으로 이루어진 그룹으로부터 선택되거나, 질산 란타늄 또는 질산 란타늄 가열 중간체의 완전 산화에 의하여 생성되는 산화란타늄 및 질산란타늄 또는 질산란타늄 가열 중간체의 혼합물로 이루어진 것임(산화란타늄만으로 이루어진 완충층은 배제됨)을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조
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제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 완충층 사이에 폴리비닐피롤리돈 (Polyvinylpyrrolidone; PVP) 접착층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조
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제1항에 있어서, 상기 기판은 기판 전체 또는 일부에 위층으로부터 아래층의 순서로 Pt/Ti/SiO2/Si 또는 SiO2/Si 구조를 가지거나, Si 기판, 실리카 유리 기판, 또는 다른 비정질 기판임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 화합물은 PbTiO3 (PT), PbZrO3 (PZ), Pb(Zr,Ti)O3 (PZT), (Pb,La)(Zr,Ti)O3, Pb(Mg,Nb)O3-PbTiO3 (PMN-PT), 및 Pb(Zn,Nb)O3-Pb(Zr,Ti)O3 (PZN-PZT)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조
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제1항에 있어서, 상기 배향성 박막은 (100) 배향성을 가지는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조
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제1항에 있어서, 상기 기판은 Si를 포함하는 기판이고, 상기 완충층은 상기 배향성 박막의 Pb와 상기 기판의 Si의 확산 및 반응을 방지하는 확산방지막의 기능을 가지는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조
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제1항에 있어서, 상기 구조는 압전소자 또는 광전소자에 사용되는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조
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기판을 마련하는 단계, 상기 기판 상에 질산 란타늄 완충층을 형성하는 단계, 및 상기 질산 란타늄 완충층 상에 Pb를 포함하는 페로브스카이트 화합물로 배향성 박막을 형성하는 단계를 포함하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 질산 란타늄 완충층 형성 단계 전에 상기 기판 상에 PVP (Polyvinylpyrrolidone) 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 PVP 접착층 형성단계는 유기용매, 이들의 혼합용매 또는 유기용매와 물의 혼합용매에 PVP를 녹이거나 현탁시킨 용액 또는 현탁액을 상기 기판 상에 코팅시키는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 PVP 접착층 형성단계는 프로판올에 PVP를 녹인 용액을 상기 기판 상에 코팅시키는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 기판은 기판 전체 또는 일부에 위층으로부터 아래층의 순서로 Pt/Ti/SiO2/Si 또는 SiO2/Si 구조를 가지거나, Si 기판, 실리카 유리 기판, 또는 다른 비정질 기판임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 질산 란타늄 완충층의 형성단계는 질산 란타늄 원료를 유기용매, 물 또는 이들의 혼합용매에 녹이거나 현탁시킨 용액 또는 현탁액을 상기 기판 상에 코팅하는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 질산 란타늄 완충층의 형성단계는 질산 란타늄 원료를 프로판올에 녹인 용액을 상기 기판 상에 코팅하는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 질산 란타늄 완충층의 형성단계는 상기 용액의 코팅 후 450~550℃의 온도에서 열처리하는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 페로브스카이트 화합물은 PbTiO3 (PT), PbZrO3 (PZ), Pb(Zr,Ti)O3 (PZT), (Pb,La)(Zr,Ti)O3, Pb(Mg,Nb)O3-PbTiO3 (PMN-PT), 및 Pb(Zn,Nb)O3-Pb(Zr,Ti)O3 (PZN-PZT)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 배향성 박막은 (100) 배향성을 가지는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 페로브스카이트 화합물로 된 배향성 박막의 형성단계는 졸-겔(sol-gel)법에 의하여 페로브스카이트 화합물 전구체 용액 또는 현탁액을 코팅하는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제18항에 있어서, 상기 형성된 페로브스카이트 전구체 코팅층은 150~450℃에서의 열처리에 의하여 열분해되고, 450℃ 이상의 온도에서의 열처리에 의하여 페로브스카이트상으로 형성되는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 기판은 Si를 포함하는 기판이고, 상기 질산 란타늄 완충층은 상기 배향성 박막의 Pb와 상기 기판의 Si의 확산 및 반응을 방지하는 확산방지막의 기능을 가지는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 구조는 압전소자 또는 광전소자에 적용되는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조의 제조방법
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Si를 포함하는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 란타늄 화합물 층 및 상기 란타늄 화합물 층 상에 형성되는 Pb를 포함하는 물질층 또는 배선을 포함하는 구조이고,상기에서, 상기 란타늄 화합물 층은 질산 란타늄 층, 질산 란타늄 가열 중간체 상의 층 및 그것들의 혼합물로 된 층으로 이루어진 그룹으로부터 선택되거나, 질산 란타늄 또는 질산 란타늄 가열 중간체의 완전 산화에 의하여 생성되는 산화란타늄 및 질산란타늄 또는 질산란타늄 가열 중간체의 혼합물로 이루어진 것임(산화란타늄만으로 이루어진 층은 배제됨)을 특징으로 하는 구조
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기판, 상기 기판 상에 형성되는 PVP (Polyvinylpyrrolidone) 접착층, 및 상기 PVP 접착층 상에 형성되는 질산 란타늄 층을 포함하는 구조
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기판 또는 필름 형성용 기재를 마련하는 단계, 상기 기판 상에 PVP (Polyvinylpyrrolidone) 막을 형성하는 단계, 및 상기 PVP 막 상에 질산 란타늄 막을 형성하는 단계를 포함하는, 균일한 질산 란타늄 막을 형성하기 위하여 PVP를 사용하는 방법
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25
Si를 포함하는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 산화란타늄 완충층 및 상기 산화란타늄 완충층 상에 형성되는 Pb를 포함하는 페로브스카이트 화합물의 배향성 박막을 포함하는 구조이고,상기에서, 상기 산화란타늄 완충층은 질산란타늄 또는 질산란타늄 가열 중간체의 완전 산화에 의하여 형성되는 것이고, 상기 배향성 박막은 (100) 배향성을 가지는 것임을 특징으로 하는 배향성 박막을 포함하는 구조
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