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(a) 단차를 가지는 반도체 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 반도체 기판 상부에 상기 단차의 상부면을 노출시키는 평탄화된 제1 PDMS막 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 단차 및 제1 PDMS 상부에 희생층 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 희생층 패턴 및 제1 PDMS막을 포함하는 반도체 기판 상부에 소정의 정도까지 경화가 진행된 제2 PDMS 막을 접합하는 단계;(e) 상기 희생층 패턴 및 반도체 기판을 제거하는 단계; 및(f) 상기 반도체 기판이 제거되어 노출된 제2 PDMS막의 표면에 캐핑 PDMS층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조물 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계는상기 반도체 기판 상부에 제1 마스크층 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 마스크층 패턴을 포함하는 반도체 기판 상부에 제2 마스크층 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 마스크층 패턴을 마스크로 상기 반도체 기판을 식각하는 단계; 및상기 제2 마스크층 패턴을 제거하고 상기 제1 마스크층 패턴을 마스크로 상기 반도체 기판을 식각하여 상기 단차를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조물 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계는전체 표면 상부에 PDMS층을 형성하는 단계; 및더미 웨이퍼로 상기 단차의 상부면이 노출될 때까지 상기 PDMS층을 프레스하여 상기 평탄화된 제1 PDMS층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조물 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계는 상기 희생층 패턴의 형상이 상기 제2 PDMS막에 전사되도록 접합하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조물 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계는 상기 제2 PDMS막을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조물 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 (e) 단계의 반도체 기판을 제거하는 단계는 필링(peeling) 공정인 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조물 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계는상기 제2 PDMS막을 프리큐어링하여 상기 소정 정도까지 경화를 진행하는 단계;상기 제2 PDMS 막을 접합하는 단계; 및상기 제2 PDMS막을 포스트큐어링하여 경화를 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조물 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 희생층 패턴은 감광막, 금속층, 폴리실리콘층 및 폴리머층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조물 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 제2 마스크층 패턴은 감광막, 금속층, 폴리실리콘층 및 폴리머층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조물 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 마스크층 패턴은 산화막, 질화막, 감광막, 금속층, 폴리실리콘층 및 폴리머층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조물 형성 방법
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소정의 구조물을 구비한 반도체 기판 상부를 평탄화하는 제1 PDMS막 패턴 상부에 전사하고자 하는 형상에 해당하는 희생층 패턴을 형성하고 상기 제1 PDMS막 패턴과 소정의 경화가 진행된 제2 PDMS막을 접합한 후 상기 희생층 패턴 및 반도체 기판을 제거하여 3차원 PDMS 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조물 형성 방법
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