| 1 |
1
소스 및 드레인이 형성된 기판 상부에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상부에 감광층을 형성하는 단계;상기 감광층에 전자빔을 조사하여 게이트가 형성될 영역을 패터닝하고 상기 희생층을 노출시키는 단계;상기 희생층을 식각하여 경사가 형성된 벽면을 갖는 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 전면에 전극물질을 증착하는 단계; 및상기 감광층을 제거하는 단계를 포함하는 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인이 형성된 기판 상부에 희생층을 형성하는 단계는,상기 기판 상부에 제1희생층을 형성하는 단계; 및상기 제1희생층 상부에 제2희생층을 형성하는 단계를 더 포함하는 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 제1희생층과 제2희생층은 유전율이 상이한 것을 사용하는 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 제1희생층은 SiNx, 제2희생층은 SiO2인 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 희생층 상부에 감광층을 형성하는 단계는,상기 희생층 상부에 제1감광층을 형성하는 단계;상기 제1감광층 상부에 제2감광층을 형성하는 단계; 상기 제2감광층 상부에 제3감광층을 형성하는 단계; 및상기 제1,2 및 3 광감층을 베이킹하는 단계를 더 포함하는 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 감광층에 전자빔을 조사하여 게이트가 형성될 영역을 패터닝 하는 단계는,상기 제3감광층에 상기 전자빔을 조사하여 게이트 헤드가 형성될 영역을 패터닝하는 단계;상기 게이트 헤드가 형성된 제3감광층을 마스크로 하여 제2감광층을 등방성 식각하여 제1감광층을 노출시키는 단계; 및상기 제1감광층에 전자빔을 조사하여 제1게이트 풋 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 제1감광층과 제3감광층은 전자빔에 대한 감응도가 동일하며, 상기 제2감광층은 상기 제1감광층보다 전자빔에 대한 감응도가 낮은 것을 사용하는 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법
|
| 8 |
8
제2항에 있어서, 상기 희생층을 식각하여 경사가 형성된 벽면을 갖는 패턴을 형성하는 단계는,상기 제2희생층을 식각하여 벽면에 경사가 형성된 제2게이트 풋 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2게이트 풋 패턴이 형성된 제2희생층을 마스크로 이용하여 상기 제1희생층을 식각하여 벽면에 경사가 형성된 제3게이트 풋 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 제2희생층은 CF4, H2, Ar, 및 CHF3 중 어느 하나 이상의 가스를 이용하여 건식 식각하는 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 제1희생층은 SF6 및 Ar 중 어느 하나 이상의 가스를 이용하여 건식 식각하는 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
