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ＨＥＭＴ 게이트 절연막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015136771
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 HEMT 게이트 절연막 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 게이트 절연막으로 PEALD SiN 박막과 ICP-SVD SiN 박막을 형성하거나, PEALD SiN 박막과 High-K 물질의 RF-sputtered HfO2 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 HEMT 소자의 게이트 절연막을 형성하는 방법에 있어서,(a) 에피택시얼층과 오믹 컨택층이 형성된 Si 기판을 ICP-CVD 장비의 진공 챔버에 투입해서 Si과 N의 전구체(precursor)로 SiH4, N2 가스를 사용하여 제1게이트 절연막으로 PEALD SiN 박막을 형성하는 단계;(b) 상기 ICP-CVD 장비의 진공 챔버를 사용하여 PEALD SiN 박막 위에 제2게이트 절연막으로 ICP-CVD 방식의 SiN 박막을 형성하는 단계; 를 포함하여 구성된다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020140033456 (2014.03.21)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1517381-0000 (2015.04.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150506) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서광석 대한민국 서울특별시 강남구
2 최우진 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형근 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** *층, *층 (역삼동,옥신타워)(성화국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0274119-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0082204-47
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0043599-24
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0272789-61
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0272784-33
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0275275-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
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번호 청구항
1 1
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2 2
HEMT 소자의 게이트 절연막을 형성하는 방법에 있어서,(a) Si 기판 위에, GaN 버퍼층, AlN 공간층, GaN 캡층/AlGaN 배리어층으로 이루어진 에피택시얼층을 형성하되, 게이트 리세스 에칭(gate recess etching)을 진행하는 단계; (b) 상기 에피택시얼층 위에 오믹(Ohmic) 메탈의 스택을 증착하고 N2 분위기에서 열처리를 통해 오믹 컨택층을 형성하는 단계;(c) 상기 에피택시얼층과 오믹 컨택층이 형성된 Si 기판을 ICP-CVD 장비의 진공 챔버에 투입해서 Si과 N의 전구체(precursor)로 SiH4, N2 가스를 사용하여 제1게이트 절연막으로 PEALD SiN 박막을 형성하는 단계; 및(d) 상기 제1게이트 절연막인 PEALD SiN 박막 위에 high-k 물질인 HfO2를 RF 스퍼터를 이용해 증착하여 제2게이트 절연막으로 RF 스퍼터 HfO2 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 HEMT 게이트 절연막 형성방법
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제2항에 있어서,상기 (b)단계에서 SiN을 프리 보호(pre-passivation) 박막으로 사용하여 N2 분위기에서 열처리한 후, 에칭액인 BOE(buffered oxide etchant)에 담가 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 HEMT 게이트 절연막 형성방법
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제2항에 있어서,상기 (c)단계에서 N2 플라즈마 처리로 표면에 질소 라디칼(radical)을 남기고 그 위로 비플라즈마(non-plasma) 상태의 SiH4 가스를 흘려줌으로써 표면에 남아있던 질소 라디칼에 Si 원자가 달라붙어 SiN이 층층이 증착되는 것을 특징으로 하는 HEMT 게이트 절연막 형성방법
6 6
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