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ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015136309
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전류 붕괴 현상을 완화시키는 AlGaN/GaN HEMT 소자의 제조 방법에 관한 것으로, GaN 버퍼층 상에 AlGaN 장벽층 및 GaN 캡층(cap layer)이 에피텍셜 성장된 기판을 준비하는 단계; 상기 AlGaN 장벽층 및 GaN 캡층을 선택적으로 제거하여 소자 사이의 전기적 절연을 위한 메사(MESA) 구조를 형성하는 단계; 상기 메사 구조의 기판 표면에 SiNX를 형성하는 단계; 소오스/드레인 전극 형성할 영역의 상기 SiNX을 선택적으로 제거하고, 상기 소오스/드레인 전극 형성 영역에 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계; 게이트 전극이 형성될 부분의 상기 SiNX을 제거하고, 전류 붕괴 현상을 완화하기 위해 상기 기판을 질소 플라즈마 처리하는 단계; 기판 전면에 금속층을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것이다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/263 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1020130013718 (2013.02.07)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0100692 (2014.08.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한상길 대한민국 서울 관악구
2 서광석 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형근 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** *층, *층 (역삼동,옥신타워)(성화국제특허법률사무소)
2 특허법인세하 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0114576-13
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2013.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0996987-17
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0888437-19
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0173506-89
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0173504-98
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0479405-11
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0649115-63
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
GaN 버퍼층 상에 AlGaN 장벽층 및 GaN 캡층(cap layer)이 에피텍셜 성장된 기판을 준비하는 단계;상기 AlGaN 장벽층 및 GaN 캡층을 선택적으로 제거하여 소자 사이의 전기적 절연을 위한 메사(MESA) 구조를 형성하는 단계;상기 메사 구조의 기판 표면에 SiNX를 형성하는 단계;소오스/드레인 전극 형성할 영역의 상기 SiNX을 선택적으로 제거하고, 상기 소오스/드레인 전극 형성 영역에 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계;게이트 전극이 형성될 부분의 상기 SiNX을 제거하고, 전류 붕괴 현상을 완화하기 위해 상기 기판을 질소 플라즈마 처리하는 단계;기판 전면에 금속층을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HEMT 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소 플라즈마 처리하는 단계 전에, 산화막을 제거하기 위해 BOE 20: 1 내지 40:1로 습식 처리하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HEMT 소자의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,누설 전류를 줄이고 상기 플라즈마 처리 시 발생한 손상(damage)을 회복시켜주기 위해 상기 게이트 금속층 증착 이후에 열처리하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HEMT 소자의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 열처리 하는 단계는 질소 분위기에서 500 내지 600℃ 온도로 30분 내지 90분간 열처리 함을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HEMT 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소 플라즈마 처리는 반응 이온 에칭 시스템을 이용하고, 질소 유량은 50 내지 150sccm, 압력은 100 내지 140mTorr, RF 파워는 3 내지 10W로 30초 내지 1분 30초 동안 플라즈마 처리함을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HEMT 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업 차세대 이동통신 기지국용 Class-S 전력증폭기 기술연구