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멀티 스텝형 티 게이트 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036974
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터를 제조하는 것에 관한 것으로 더욱 자세하게는 소스와 드레인 사이의 전류를 조절하기 위한 티 게이트를 형성하는 것에 관한 것이다.본 발명은 소스 및 드레인이 형성된 기판 상부에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상부에 복수의 감광층을 형성하는 단계; 상기 복수의 감광층에 게이트 헤드 패턴과 제1게이트 풋 패턴을 형성하고 상기 희생층을 노출시키는 단계; 상기 희생층을 식각하여 경사면이 형성된 제2게이트 풋 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1게이트 풋 패턴의 입구를 확장하는 단계; 상기 기판 전면에 전극물질을 증착하는 단계; 및 상기 복수의 감광층을 제거하는 단계를 포함함에 기술적 특징이 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 29/423 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01)
출원번호/일자 1020100008569 (2010.01.29)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1140285-0000 (2012.04.19)
공개번호/일자 10-2011-0088860 (2011.08.04) 문서열기
공고번호/일자 (20120427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.29)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서광석 대한민국 서울특별시 강남구
2 김종욱 대한민국 부산광역시 수영구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세하 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0064740-84
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0013255-50
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0101335-19
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0525741-65
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0264957-01
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0534091-31
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0534092-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0036647-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스 및 드레인이 형성된 기판 상부에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상부에 복수의 감광층을 형성하는 단계;상기 복수의 감광층에 게이트 헤드 패턴과 제1게이트 풋 패턴을 형성하고 상기 희생층을 노출시키는 단계;상기 희생층을 식각하여 경사면이 형성된 제2게이트 풋 패턴을 형성하는 단계;상기 제1게이트 풋 패턴의 입구를 확장하는 단계;상기 기판 전면에 전극물질을 증착하는 단계; 및 상기 복수의 감광층을 제거하는 단계를 포함하는 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판 상부에 희생층을 형성하는 단계는,상기 기판 상부에 제1희생층을 형성하는 단계; 및상기 제1희생층 상부에 제2희생층을 형성하는 단계를 더 포함하는 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 희생층 상부에 복수의 감광층을 형성하는 단계는,상기 제2희생층 상부에 제1감광층을 형성하는 단계;상기 제1감광층 상부에 제2감광층을 형성하는 단계;상기 제2감광층 상부에 제3감광층을 형성하는 단계; 및상기 제1,2 및 3감광층을 베이킹하는 단계를 더 포함하는 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 복수의 감광층에 게이트 헤드 패턴과 제1게이트 풋 패턴을 형성하고 상기 희생층을 노출시키는 단계는,상기 제3감광층에 전자빔 리소그래피를 이용하여 게이트 헤드 패턴을 형성하고 제2감광층을 노출시키는 단계;상기 제2감광층을 등방식각하여 제1감광층을 노출시키는 단계; 및상기 제1감광층에 전자빔 리소그래피를 이용하여 제1게이트 풋 패턴을 형성하고 상기 제2희생층을 노출시키는 단계를 더 포함하는 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 희생층을 식각하여 경사면이 형성된 제2게이트 풋 패턴을 형성하는 단계는,상기 제1게이트 풋 패턴을 마스크로 이용하여 제2희생층을 식각하여 기울기가 형성된 제2게이트 풋 패턴을 형성하고 제1희생층을 노출시키는 단계; 및상기 제2게이트 풋 패턴을 마스크로 이용하여 제1희생층을 식각하여 기울기가 형성된 제3게이트 풋 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1게이트 풋 패턴의 입구를 확장하는 단계는,상기 제1게이트 풋 패턴이 형성된 제1감광층을 식각하여 상기 제1게이트 풋 패턴의 입구를 확장하는 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 제1게이트 풋 패턴의 입구를 확장하는 단계는,상기 제1게이트 풋 패턴이 형성된 제1감광층을 현상하여 상기 제1게이트 풋 패턴의 입구를 확장하는 단계; 및상기 제1감광층을 열처리하여 플로잉함으로써, 상기 제1게이트 풋 패턴의 입구에 형성된 모서리 영역에 곡면을 형성하는 단계를 더 포함하는 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
8 8
제2항에 있어서,상기 제1희생층과 제2희생층은 유전율이 상이한 것을 사용하는 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
9 9
제2항에 있어서,상기 제1희생층은 SiNx, 제2희생층은 SiO2인 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
10 10
제3항에 있어서,상기 제1감광층과 제3감광층은 전자빔에 대한 감응도가 동일하며, 상기 제2감광층은 상기 제1감광층보다 전자빔에 대한 감응도가 낮은 것을 사용하는 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
11 11
제5항에 있어서,상기 제2희생층은 CF4, H2, Ar, 및 CHF3 중 어느 하나 이상의 가스를 이용하여 건식식각하는 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
12 12
제5항에 있어서,상기 제1희생층은 SF6 및 Ar 중 어느 하나 이상의 가스를 이용하여 건식식각하는 멀티 스텝형 티 게이트 제조방법
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 테라급나노소자개발사업 Tera bps급 집적회로 개발