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II족 금속 전구체를 용융시킨 후, 상온으로 냉각하는 1a 단계; 계면활성제를 첨가한 후, 승온시키는 1b 단계;VI족 칼코게나이드 전구체를 주입하고 반응시킨 후, 상온으로 냉각하는 1c 단계를 포함하는, 중심 반도체 양자점을 합성하는 제 1 단계; 및중심 반도체 양자점 용액에 중심 반도체 양자점 보다 밴드갭이 큰 II족 금속 전구체를 상온에서 첨가한 후 승온시키고, 상온으로 냉각하여 중심/껍질 반도체 양자점을 합성하는 제 2 단계를 포함하는 반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서, 상기 II족 금속 전구체는, 아연, 카드뮴 및 수은으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서,제 1a 단계에서 II족 금속 전구체를 150~350℃에서 용융시키는 것을 특징으로 하는반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서,상기 계면활성제는, 트리-n-옥틸포스핀 옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide), 데실아민(decylamine), 디데실아민(didecylamine),트리데실아민(tridecylamine), 테트라데실아민(tetradecylamine), 펜타데실아민(pentadecylamine), 헥사데실아민(hexadecylamine), 옥타데실아민(octadecylamine), 운데실아민(undecylamin), 디옥타데실아민(dioctadecylamine), N,N-디메틸데실아민(n,n-dimethyldecylamine), N,N-디메틸도데실아민(n,n-dimethyldodecylamine), N,N-디메틸헥사데실아민(n,n-dimethylhexadecylamine), N,N-디메틸테트라데실아민(n,n-dimethyltetradecylamine), N,N-디메틸트리데실아민(n,n-dimethyltridecylamine), N,N-디메틸운데실아민(n,n-dimethylundecylamine), N-데실아민(N-decylamine), N-메틸옥타데실아민(N-methyloctadecylamine), 디도데실아민(didodecylamine), 트리도데실아민(tridodecylamine), 사이클로도데실아민(cyclododecylamine), N-메틸도데실아민(N-methyldodecylamine) 및 트리옥틸아민(trioctylamine)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서,제 1b 단계의 승온은 150~350℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서,상기 VI족 칼코게나이드 전구체는, 황, 셀레늄, 텔루륨 및 폴로늄으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서,제 1c 단계에서 VI족 칼코게나이드 전구체를 주입한 후, 3분 이상 반응시키는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서,제 1 단계에서 II족 금속 전구체와 VI족 칼코게나이드 전구체의 함량비가 1:5(몰비) 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서,제 1 단계에서 상기 II족 금속 전구체에 지방산을 추가로 첨가하여 용융시키는 것을 특징으로 하는반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서,중심 반도체 양자점 보다 밴드갭이 큰 II족 금속 전구체가 아연인 것을 특징으로 하는반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서,제 2 단계에서 중심 반도체 양자점 보다 밴드갭이 큰 II족 금속 전구체를 상온에서 첨가한 후, 150~350℃로 승온시켜 30분 이상 유지시키는 것을 특징으로 하는반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서,제 2 단계에서 중심/껍질 반도체 양자점 용액에 황 전구체를 상온에서 주입하고, 150~350℃에서 30분 이상 유지시킨 후, 상온으로 냉각하여 중심/다중껍질 반도체 양자점을 제조하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는반도체 양자점의 대량 생산 방법
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제 1항에 있어서,중심/껍질 반도체 양자점에 유기 리간드를 치환시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는반도체 양자점의 대량 생산 방법
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II족 금속 전구체를 150~350℃에서 용융시킨 후 상온으로 냉각하는 1a 단계; 계면활성제를 첨가한 후 150~350℃로 승온시키는 1b 단계;VI족 칼코게나이드 전구체를 주입하고 30분 이상 동안 반응시킨 후, 상온으로 냉각하는 1c 단계를 포함하는, 중심 반도체 양자점을 합성하는 제 1 단계; 중심 반도체 양자점 용액에 중심 반도체 양자점 보다 밴드갭이 큰 II족 금속전구체를 상온에서 첨가한 후, 150~350℃로 승온시켜 30분 이상 유지시키고 상온으로 냉각하여 중심/껍질 반도체 양자점을 합성하는 제 2 단계; 및중심/껍질 반도체 양자점에 유기 리간드를 치환시키는 제 3 단계를 포함하는반도체 양자점의 대량 생산 방법
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II족 금속 전구체를 150~350℃에서 용융시킨 후 상온으로 냉각하는 1a 단계; 계면활성제를 첨가한 후 150~350℃로 승온시키는 1b 단계;VI족 칼코게나이드 전구체를 주입하고 30분 이상 반응시킨 후, 상온으로 냉각하는 1c 단계를 포함하는, 중심 반도체 양자점을 합성하는 제 1 단계; 중심 반도체 양자점 용액에 중심 반도체 양자점 보다 밴드갭이 큰 II족 금속전구체를 상온에서 첨가한 후, 150~350℃로 승온시켜 30분 이상 유지시키고 상온으로 냉각하여 중심/껍질 반도체 양자점을 합성하는 제 2 단계;중심/껍질 반도체 양자점 용액에 황 전구체를 150~350℃에서 주입하고 30분 이상 유지시킨 후, 상온으로 냉각하여 중심/다중껍질 반도체 양자점을 합성하는 제 3 단계; 및중심/다중껍질 반도체 양자점에 유기 리간드를 치환시키는 제 4 단계를 포함하는반도체 양자점의 대량 생산 방법
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