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게이트 전극,상기 게이트 전극 위에 위치하는 절연층,상기 절연층 위에 위치하는 채널층,상기 채널층 위에 위치하는 소스 전극, 및상기 소스 전극과 이격되어 상기 채널층 위에 위치하는 드레인 전극을 포함하고, 상기 채널층은,고분자 매트릭스, 및상기 고분자 매트릭스 내에 혼입된 금속산화물 나노입자들을 포함하며, 상기 금속산화물 나노입자들은 NiO, MoO2 및 MoO3로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속산화물이고, 상기 고분자 매트릭스 및 상기 금속산화물 나노입자의 에너지 밴드갭의 차이는 0
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제1항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)인 유기 전계효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자들의 양은 상기 채널층의 10wt% 내지 60wt%인 유기 전계효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자들의 평균 입도는 20nm 내지 50nm인 유기 전계효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 고분자 매트릭스와 상기 금속산화물 나노입자들은 모두 p형인 유기 전계효과 트랜지스터
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게이트 전극을 제공하는 단계,상기 게이트 전극 위에 절연층을 스핀 코팅하는 단계,상기 절연층 위에 채널층을 스핀 코팅하는 단계, 및상기 채널층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 열증착하는 단계를 포함하고,상기 채널층을 스핀 코팅하는 단계는,고분자 용액을 제공하는 단계, 및상기 고분자 용액에 금속산화물 나노입자들을 혼합하는 단계를 포함하며, 상기 금속산화물 나노입자들은 NiO, MoO2 및 MoO3로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속산화물이고, 상기 고분자 용액 및 상기 금속산화물 나노입자의 에너지 밴드갭의 차이는 0
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제7항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자들을 혼합하는 단계에서, 상기 금속산화물 나노입자들의 평균 입도는 20nm 내지 50nm인 유기 전계효과 트랜지스터 의 제조 방법
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삭제
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제7항에 있어서,상기 고분자 용액은 폴리(3-헥실티오펜)(Poly(3-hexylthiophene), P3HT)인 유기 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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