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n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 탑에미트형 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 p형 클래드층 위에 p형 투명 전도성 산화물로 형성된 계면 개질층과; 상기 계면 개질층 위에 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 계면 개질층은 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 베릴륨(Be)을 포함하는 2족 원소 중에서 선택된 적어도 하나의 원소로 형성된 2원계 또는 3원계 산화물이 함유되게 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 계면 개질층은 Ag2O, CuAlO2, SrCu2O2, LaMnO3, LaNiO3, InxO1-x 중에서 선택된 어느 하나의 산화물이 함유되게 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 계면 개질층은 상기 산화물에 p형 도판트가 더 첨가되어 형성된 것을 특징으로하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 계면 개질층은 0
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제1항에 있어서, 상기 계면 개질층과 상기 투명전도성 박막층 사이에 형성된 삽입 금속층을 더 구비하고, 상기 삽입 금속층은 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga), 구리(Cu), 베릴륨(Be), 이리듐(Ir), 루세늄(Ru), 몰리브덴(Mo) 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분으로 1 나노미터 내지 100나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 투명 전도성 산화물(TCO)과 투명 전도성 질화물(TCN) 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 란탄(La) 원소계열의 금속들 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합되어 형성된 것을 포함하고, 상기 투명 전도성 질화물은 타이타늄(Ti)과 질소(N)를 함유하여 형성된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 10 나노미터 내지 1000 나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
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n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 가
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제9항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층 형성 이전에 상기 계면 개질층 위에 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga), 구리(Cu), 베릴륨(Be), 이리듐(Ir), 루세늄(Ru), 몰리브덴(Mo) 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분으로 삽입금속층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 계면 개질층은 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 베릴륨(Be)를 포함하는 2족원소 중에서 선택된 적어도 하나의 원소로 형성된 2원계 또는 3원계 산화물이 함유되게 형성하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 계면 개질층은 Ag2O, CuAlO2, SrCu2O2, LaMnO3, LaNiO3, InxO1-x 중에서 선택된 어느 하나의 산화물이 함유되게 형성하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
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제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 계면 개질층은 상기 산화물에 p형 도판트가 더 첨가되어 형성된 것을 특징으로하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
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제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 계면 개질층은 상기 산화물에 p형 도판트가 더 첨가되어 형성된 것을 특징으로하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
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