맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174680
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플립칩형 질화물계 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 질화물계 발광소자는 n형 클래드층과, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 있고, p형 클래드층 위에 알루미늄 소재로 형성된 반사층과, p형 클래드층과 반사층 사이에 알루미늄의 확산을 억제시킬 수 있는 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층을 구비한다. 이러한 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 발광소자의 패키징 시 와이어 본딩 효율을 및 수율을 높일 수 있고, 낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성에 의해 소자의 발광효율 및 소자 수명을 향상시킬 수 있는 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01)
출원번호/일자 1020040054141 (2004.07.12)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0638862-0000 (2006.10.19)
공개번호/일자 10-2006-0005244 (2006.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20061025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.07.12)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주광역시 북구
2 송준오 대한민국 광주광역시 북구
3 홍웅기 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2004-0307673-04
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0097067-45
4 의견서
Written Opinion		 2006.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0281374-27
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0281379-55
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0475220-02
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0565331-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층 위에 알루미늄 소재로 형성된 반사층과;상기 p형 클래드층과 상기 반사층 사이에 상기 알루미늄의 확산을 억제시킬 수 있는 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층;을 구비하고,상기 투명 전도성 박막층은 투명 전도성 산화물과 투명 전도성 질화물 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru) 및 몰리브덴(Mo) 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분과 산소를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
4 4
제2항에 있어서, 상기 투명 전도성 질화물은 타이타늄 질화물(TiN)과 타이타늄 질화 산화물(Ti-N-O) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
5 5
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층 위에 알루미늄 소재로 형성된 반사층과;상기 p형 클래드층과 상기 반사층 사이에 상기 알루미늄의 확산을 억제시킬 수 있는 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층; 및상기 p형 클래드층과 상기 투명 전도성 박막층 사이에 형성된 개질 금속층;을 구비하고,상기 개질 금속층은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 이리듐(Ir), 루세늄(Ru), 로듐(Rh), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택된 어느 하나의 원소, 상기 원소들 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 합금, 고용체 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 1 나노미터 내지 100나노미터의 두께로 형성되고, 상기 개질 금속층은 0
7 7
삭제
8 8
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
9 9
제8항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층 형성단계 이전에 상기 p형클래드층 위에 개질 금속층을 형성하는 단계;를 더 포함하고, 상기 개질 금속층은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 이리듐(Ir), 루세늄(Ru), 로듐(Rh), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택된 어느 하나의 원소, 상기 원소들 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 합금, 고용체 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 1 나노미터 내지 100나노미터의 두께로 형성하고, 상기 개질 금속층은 0
11 10
제9항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 1 나노미터 내지 100나노미터의 두께로 형성하고, 상기 개질 금속층은 0
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101278409 CN 중국 FAMILY
2 JP05177638 JP 일본 FAMILY
3 JP20506272 JP 일본 FAMILY
4 KR100574102 KR 대한민국 FAMILY
5 KR100574103 KR 대한민국 FAMILY
6 KR100574104 KR 대한민국 FAMILY
7 KR100611640 KR 대한민국 FAMILY
8 US07872271 US 미국 FAMILY
9 US08202751 US 미국 FAMILY
10 US20080121914 US 미국 FAMILY
11 US20110086448 US 미국 FAMILY
12 WO2006006822 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101278409 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101278409 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2008506272 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5177638 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2008121914 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2011086448 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US7872271 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8202751 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.