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플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173926
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서 플립칩형 질화물계 발광소자는 기판 위에 n형 클래드층과, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 있고, p형 클래드층 위에 인듐계 산화물, 주석계 산화물, 아연계 산화물 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 산화물을 포함하여 형성된 계면 개질층과, 계면 개질층 위에 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층 및 투명 전도성 박막층 위에 반사물질로 형성된 반사층을 구비한다. 이러한 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 발광소자의 패키징 시 와이어 본딩 효율을 및 수율을 높일 수 있고, 낮은 비접촉 저항과 높은 전기적 특성 및 발광 효율을 제공한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020040057571 (2004.07.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0574104-0000 (2006.04.19)
공개번호/일자 10-2006-0007944 (2006.01.26) 문서열기
공고번호/일자 (20060427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.07.23)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송준오 대한민국 광주광역시 북구
2 김경국 대한민국 경기도 시흥시
3 홍웅기 대한민국 광주광역시 북구
4 성태연 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0327680-82
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0182109-47
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0565335-75
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 p형 클래드층 위에 인듐계 산화물, 주석계 산화물, 아연계 산화물 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 산화물을 포함하여 형성된 계면 개질층과; 상기 계면 개질층 위에 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층; 및 상기 투명 전도성 박막층 위에 반사물질로 형성된 반사층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 인듐계 산화물은 인듐산화물(In2O3)을 주성분으로하고 첨가원소로서 갈륨(Ga), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 란탄(La) 원소 계열 금속들 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 주석계 산화물은 주석산화물(SnO2)을 주성분으로하고 첨가원소로서 아연(Zn), 갈륨(Ga), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 란탄(La) 원소 계열 금속들 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 아연계 산화물은 아연산화물(ZnO)을 주성분으로하고 첨가원소로서 인듐(In), 주석(Sn), 갈륨(Ga), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 란탄(La) 원소 계열 금속들 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
5 5
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 계면 개질층의 상기 주성분에 대한 상기 첨가원소의 첨가비는 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 계면 개질층은 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 계면 개질층과 상기 투명전도성 박막층 사이에 형성된 삽입 금속층을 더 구비하고, 상기 삽입 금속층은 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga), 구리(Cu), 베릴륨(Be), 이리듐(Ir), 루세늄(Ru), 몰리브덴(Mo) 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분으로 1 나노미터 내지 100나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 투명 전도성 산화물(TCO)과 투명 전도성 질화물(TCN) 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 란탄(La) 원소계열의 금속들 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합되어 형성된 것을 포함하고, 상기 투명 전도성 질화물은 타이타늄(Ti)과 질소(N)를 함유하여 형성된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 10 나노미터 내지 1000 나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
10 10
제1항에 있어서, 상기 반사층은 은(Ag), 은 산화물(Ag2O), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 타이타늄(Ti), 로듐(Rh), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 루세늄(Ru), 백금(Pt), 이리듐(Ir) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 상기 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금, 고용체 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 반사층은 100 나노미터 내지 1000 나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
12 12
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 가
13 13
제12항에 있어서, 상기 나 단계를 거친 이후 상기 반사층 형성 이전에 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층 형성 이전에 상기 계면 개질층 위에 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga), 구리(Cu), 베릴륨(Be), 이리듐(Ir), 루세늄(Ru), 몰리브덴(Mo) 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분으로 삽입금속층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
15 14
제12항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층 형성 이전에 상기 계면 개질층 위에 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga), 구리(Cu), 베릴륨(Be), 이리듐(Ir), 루세늄(Ru), 몰리브덴(Mo) 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분으로 삽입금속층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
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7 KR100638862 KR 대한민국 FAMILY
8 US07872271 US 미국 FAMILY
9 US08202751 US 미국 FAMILY
10 US20080121914 US 미국 FAMILY
11 US20110086448 US 미국 FAMILY
12 WO2006006822 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN101278409 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101278409 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2008506272 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5177638 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2008121914 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2011086448 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US7872271 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8202751 US 미국 DOCDBFAMILY
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