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질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173917
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 격자셀층 및 오믹컨택트층; 및 상기 반사형 오믹컨택트층 위에 손상을 방지할 수 있는 집괴 방지층이 순차적으로 적층된 구조로 되어 있고, 격자셀층은 전도성을 갖는 소재로 30마이크로미터 이하의 크기를 갖는 입자형 셀이 오믹컨택트층내에 매립되어 상호 이격되게 형성되어 있다. 이러한 p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 발광효율 및 소자 수명을 향상시킬 수 있고, 웨이퍼 성장 이후 활성화 공정을 생략할 수 있어 제조공정을 단순화 할 수 있는 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020040017072 (2004.03.12)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0634503-0000 (2006.10.09)
공개번호/일자 10-2005-0091579 (2005.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20061016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.03.12)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주광역시북구
2 김경국 대한민국 경기도시흥시
3 송준오 대한민국 광주광역시북구
4 임동석 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2004-0104455-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5169808-16
4 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0498735-60
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0639656-51
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-5013402-94
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-5021768-10
10 의견서
Written Opinion		 2006.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0265643-39
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0265644-85
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2006.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0278374-03
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0510106-14
14 의견서
Written Opinion		 2006.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0510105-79
15 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0465977-55
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층 위에 전도성을 갖는 소재를 포함하는 입자형 셀이 상호 이격되게 형성된 격자셀층과;상기 p형클래드층과 상기 격자셀 층 위에 형성된 오믹컨택트층; 및상기 오믹컨택트층 위에 손상을 방지할 수 있는 집괴 방지층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 격자셀층은 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 루세늄(Ru), 은(Ag), 타이타늄(Ti), 망간(Mn), 코발트(Co), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 로듐(Rh), 스칸디움(Sc), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 란탄(La) 원소계열의 금속 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금 또는 고용체 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 적용하여 적어도 한층 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
3 3
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 격자셀층은 1나노 내지 50나노미터 이하의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 오믹컨택트층은 빛을 투과시킬 수 있는 투명 오믹컨택트층이고, 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 루세늄(Ru), 망간(Mn), 코발트(Co), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 로듐(Rh), 스칸디움(Sc), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 란탄(La) 원소계열의 금속 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금 또는 고용체, 투명 전도성 산화물, 투명 전도성 질화물 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 적용하여 적어도 한 층 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 란탄(La) 원소계열의 금속들 중에서 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합된 것을 포함하고, 상기 투명 전도성 질화물은 타이타늄(Ti)과 질소(N)를 함유하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 오믹컨택트층은 입사된 빛을 상기 p형 클래드층으로 반사시킬 수 있는 반사형 오믹컨택트층이고, 금(Au), 루세늄(Ru), 크롬(Cr), 로듐(Rh), 스칸디움(Sc), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금 또는 고용체 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 적용하여 적어도 한 층 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 집괴방지층은 구리(Cu), 실리콘(Si), 저메늄(Ge), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 타이티늄(Ti), 텅스텐(W), 또는 리튬(Li)과 이들로 형성된 합금 중 적어도 하나 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
8 8
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
9 9
제8항에 있어서, 상기 가 단계 이전에 노출되게 형성된 n형 클래드층 위에 n형 전극층을 증착하되 어닐링은 생략하는 단계를 더 포함하고, 상기 n형전극층은 상기 나 단계의 열처리과정을 통해 어닐링처리되게 하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제8항에 있어서,상기 나단계는 300도 내지 900도에서 질소, 산소, 또는 진공 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 가 단계는 상기 격자셀 형성용 물질을 1 나노미터 내지 50 나노미터의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
13 12
제8항에 있어서, 상기 가 단계는 상기 격자셀 형성용 물질을 1 나노미터 내지 50 나노미터의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05502170 JP 일본 FAMILY
2 JP17260245 JP 일본 FAMILY
3 JP25065856 JP 일본 FAMILY
4 US07485897 US 미국 FAMILY
5 US20050199895 US 미국 FAMILY
6 US20090124030 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100481536 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1677703 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2005260245 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2013065856 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP5502170 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2005199895 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US2009124030 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US7485897 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.