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질화물계 발광소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013711
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 발광소자의 외부 양자효율을 증가시키기 위한 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 n형 클래드층, 활성층, 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층된 발광구조체의 p형 클래드층 상부에 마스크용 알루미늄층을 형성하는 단계와, 알루미늄층을 양극산화처리하여 다수의 홀을 형성하는 단계와, 홀을 통해 p형 클래드층의 표면을 일정 깊이 식각하는 단계와, 잔류된 알루미늄 산화층을 제거하는 단계와, p형 클래드층 위에 오믹컨택트층을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 질화물계 발광소자의 제조방법에 의하면, 활성층에서 생성된 빛의 외부로의 탈출 효율을 높일 수 있는 패턴구조를 규칙적이면서도 용이하게 형성할 수 있고, 오믹컨택트층의 접촉 면적의 증가로 인하여 오믹 접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020040090007 (2004.11.05)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0672077-0000 (2007.01.15)
공개번호/일자 10-2006-0040422 (2006.05.10) 문서열기
공고번호/일자 (20070119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.05)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주 북구
2 송준오 대한민국 광주 북구
3 손정인 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2004-0513696-75
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0357248-34
3 의견서
Written Opinion		 2006.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0602543-33
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0776795-58
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0565341-49
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 가
2 2
제1항에 있어서, 상기 나단계에서 상기 양극산화처리는 산성용액에 상기 알루미늄층이 침적되게 하고, 상기 발광구조체에 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 산성용액은 인산, 옥살산, 황산 중에서 선택된 어느 하나가 적용되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 알루미늄층은 500 나노미터 내지 3 마이크로미터로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 마 단계 이후 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 오믹컨택트층은 투명 전도성 산화물(TCO)과 투명 전도성 질화물(TCN) 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 란탄(La) 원소계열의 금속 중에서 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합되어 형성된 것을 포함하고, 상기 투명 전도성 질화물은 타이타늄(Ti)과 질소(N)를 함유하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
7 7
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광 소자의 제조방법에 있어서, 가
8 8
제7항에 있어서, 상기 다단계에서 상기 양극산화처리는 산성용액에 상기 알루미늄층이 침적되게 하고, 상기 발광구조체에 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 산성용액은 인산, 옥살산, 황산 중에서 선택된 어느 하나가 적용되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 알루미늄층은 500 나노미터 내지 3 마이크로미터로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 마 단계 이후 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
12 12
제7항에 있어서, 상기 오믹컨택트층은 투명 전도성 산화물(TCO)과 투명 전도성 질화물(TCN) 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 란탄(La) 원소계열의 금속 중에서 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합되어 형성된 것을 포함하고, 상기 투명 전도성 질화물은 타이타늄(Ti)과 질소(N)를 함유하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 오믹컨택트층은 5 나노미터 내지 1000나노미터의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법
14 14
제7항에 있어서, 상기 마단계 이후 상기 오믹컨택트층 상부에 은(Ag), 로듐(Rh), 알루미늄(Al) 중에서 선택된 어느 하나의 소재로 200 나노미터 내지 10000 나노미터로 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법
15 15
제7항에 있어서, 상기 라 단계 이후 상기 오믹컨택트층에 식각에 의해 형성된 홈 각각에 상기 오믹컨택트층 보다 굴절율이 높은 소재의 산화물로 산화물층을 더 형성하는 단계;를 더 포함하고, 상기 산화물층 형성이후에 상기 알루미늄 산화층을 제거하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
16 15
제7항에 있어서, 상기 라 단계 이후 상기 오믹컨택트층에 식각에 의해 형성된 홈 각각에 상기 오믹컨택트층 보다 굴절율이 높은 소재의 산화물로 산화물층을 더 형성하는 단계;를 더 포함하고, 상기 산화물층 형성이후에 상기 알루미늄 산화층을 제거하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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