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질화물계 발광소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013714
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층된 발광구조체의 p형 클래드층 위에 레이저 홀로그램을 이용한 리쏘그라피에 의해 전도성 소재로 1 마이크로 이하의 폭을 갖는 크기의 셀을 상호 이격되게 격자형태로 배열시킨 격자셀층을 형성하는 단계와, 격자셀층 위에 투명 전도성 소재로 투명 전도성 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 질화물계 발광소자의 제조방법에 의하면, 격자형 패턴형성 공정이 용이하면서도 소자의 전기적 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있는 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020040092897 (2004.11.15)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0579320-0000 (2006.05.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.15)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주 북구
2 임동석 대한민국 광주 북구
3 손정인 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2004-0527982-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0024308-72
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0247938-27
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0565342-95
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 가
2 2
제1항에 있어서, 상기 가 단계는 가-1
3 3
제1항에 있어서, 상기 가 단계는 가-1
4 4
제3항에 있어서, 상기 희생층은 실리콘 산화물과 질화물중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 격자셀층을 형성하는 전도성 소재는 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 플라티늄(Pt), 루세늄(Ru), 이리듐(Ir), 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 베릴륨(Be), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 및 이들로 형성된 합금 또는 고용체 중에서 선택된 적어도 하나의 소재인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 투명 전도성 산화물과 투명 전도성 질화물 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 란탄(La) 원소계열의 금속들 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합되어 형성된 것을 포함하고, 상기 투명 전도성 질화물은 타이타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 중 적어도 하나 이상의 성분과 질소(N)가 결합되어 형성된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 격자셀층은 0
8 8
제1항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 5나노미터 내지 1000나노미터의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 나 단계를 거쳐 형성된 구조체는 상온 내지 900도 온도 범위 내에서 10초 내지 3시간 동안 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 열처리 단계는 질소, 아르곤, 헬륨, 산소, 수소, 공기, 진공 중 적어도 하나를 포함하는 기체 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
11 10
제9항에 있어서, 상기 열처리 단계는 질소, 아르곤, 헬륨, 산소, 수소, 공기, 진공 중 적어도 하나를 포함하는 기체 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.