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탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173937
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서 탑에미트형 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 멀티 오믹컨택트층이 순차적으로 적층되어 있고, 멀티 오믹컨택트층은 개질 금속층/투명 전도성 박막층을 기본 단위로 하여 적어도 한 조이상 반복 적층되어 있고, 개질금속층은 은을 주성분으로 하여 형성되어 있다. 이러한 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면 p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 높은 빛 투과성을 제공하여 소자의 발광효율을 높일 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020040088166 (2004.11.02)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0601971-0000 (2006.07.10)
공개번호/일자 10-2005-0063668 (2005.06.28) 문서열기
공고번호/일자 (20060718) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020030094698   |   2003.12.22
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.02)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 경기도 화성군
2 성태연 대한민국 광주광역시 북구
3 송준오 대한민국 광주광역시 북구
4 홍웅기 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2004-0506059-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0032078-08
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0302988-24
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
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번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 탑에미트형 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 p형 클래드층 위에 개질금속층/투명 전도성 박막층을 적층 반복 단위로 하여 적어도 한 조 이상이 반복 적층된 멀티 오믹컨택트층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 개질 금속층은 은(Ag)을 주성분으로 하여 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 투명 전도성 산화물(TCO)과 투명 전도성 질화물(TCN) 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 란탄(La) 원소계열의 금속 중에서 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합되어 형성된 것을 포함하고, 상기 투명 전도성 박막층은 타이타늄(Ti)과 질소(N)를 함유하여 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 개질금속층은 1 나노미터 내지 20나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 10 나노미터 내지 1000나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 개질금속층과 투명 전도성 박막층 사이에 금속 삽입층이 추가적으로 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 금속 삽입층은 플라티늄(Pt), 니켈(Ni), 금(Au), 루세늄(Ru), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 구리(Cu), 코발트(Co), 인듐(In), 주석(Sn), 란탄 계열의 원소, 이들 금속들로 형성된 합금, 고용체 또는 천이금속으로 형성된 질화물들 중에서 선택된 적어도 하나의 재료를 이용하여 적어도 한 층 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
8 8
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 기판 위에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층된 발광구조체의 상기 p형 클래드층 위에 개질금속층/투명 전도성 박막층을 적층 반복 단위로 하여 적어도 한 조 이상을 적층하여 멀티 오믹컨택트층을 형성하는 단계와; 상기 단계에서 형성된 멀티 오미컨택트층을 열처리하는 단계;를 포함하고, 상기 개질 금속층은 은(Ag)을 주성분으로 하여 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 투명 전도성 산화물(TCO)과 투명 전도성 질화물(TCN) 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 란탄(La) 원소계열의 금속 중에서 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합되어 형성된 것을 포함하고, 상기 투명 전도성 박막층은 타이타늄(Ti)과 질소(N)를 함유하여 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 개질금속층은 1 나노미터 내지 20나노미터의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 10 나노미터 내지 1000나노미터의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
12 12
제 8 항에 있어서, 상기 개질금속층과 투명 전도성 박막층 사이에 금속 삽입층이 추가적으로 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 금속 삽입층은 플라티늄(Pt), 니켈(Ni), 금(Au), 루세늄(Ru), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 구리(Cu), 코발트(Co), 인듐(In), 주석(Sn), 란탄 계열의 원소, 이들 금속들로 형성된 합금, 고용체 또는 천이금속으로 형성된 질화물들 중에서 선택된 적어도 하나의 재료를 이용하여 적어도 한 층 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
14 13
제 8 항에 있어서, 상기 금속 삽입층은 플라티늄(Pt), 니켈(Ni), 금(Au), 루세늄(Ru), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 구리(Cu), 코발트(Co), 인듐(In), 주석(Sn), 란탄 계열의 원소, 이들 금속들로 형성된 합금, 고용체 또는 천이금속으로 형성된 질화물들 중에서 선택된 적어도 하나의 재료를 이용하여 적어도 한 층 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01548852 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01548852 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01548852 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05084099 JP 일본 FAMILY
5 JP17184001 JP 일본 FAMILY
6 US07417264 US 미국 FAMILY
7 US07666693 US 미국 FAMILY
8 US20050133809 US 미국 FAMILY
9 US20080299687 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 CN100411199 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1638155 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2005184001 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5084099 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2005133809 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2008299687 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.