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질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174668
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 발광층, p형 클래드, 오믹컨택트층 및 반사층이 순차적으로 적층되어 있고, 오믹컨택트층은 인듐산화물에 첨가원소가 첨가되어 형성된다. 상기 첨가원소는 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr, La 계열의 원소 중 적어도 하나를 포함한다. 이러한 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 플칩칩 발광소자의 패키징 시 와이어 본딩 효율을 및 수율을 높일 수 있고, 낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성에 의해 소자의 발광효율 및 소자 수명이 향샹시킬 수 있는 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030062830 (2003.09.08)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0571816-0000 (2006.04.11)
공개번호/일자 10-2005-0025871 (2005.03.14) 문서열기
공고번호/일자 (20060417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.09.08)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송준오 대한민국 광주광역시북구
2 임동석 대한민국 광주광역시북구
3 성태연 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2003-0336932-69
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2004.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5012481-32
4 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5012431-60
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0036015-91
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0428233-69
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0623742-14
12 의견서
Written Opinion		 2005.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2005-0623741-79
13 등록결정서
Decision to grant		 2006.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0066815-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 발광층을 갖는 질화물계 발광소자에 있어서,상기 발광층으로부터 출사된 광을 반사하는 반사층; 및상기 반사층과 상기 p형 클래드층 사이에 인듐산화물에 첨가원소가 첨가되어 형성된 오믹컨택트층을 구비하되,상기 첨가원소는 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr, La 계열의 원소 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 인듐산화물에 대한 상기 첨가원소의 첨가비는 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 반사층은 은, 로듐, 아연 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 오믹컨택트층은 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 n형 클래드층 하부에 기판이 형성되어 있고, 상기 기판은 광을 투과하는 소재로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 기판은 사파이어인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
8 8
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 발광층을 갖는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
9 9
삭제
10 10
제8항에 있어서, 상기 인듐산화물에 대한 상기 첨가원소의 첨가비는 0
11 11
제8항에 있어서, 상기 반사층 형성단계에서 상기 반사층은 은, 로듐, 아연 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 오믹컨택트층은 0
13 13
제8항에 있어서, 상기 기판은 광을 투과시킬 수 있는 소재로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
14 14
제13에 있어서, 상기 기판은 사파이어인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
15 15
제8항에 있어서, 상기 열처리단계는 200℃ 내지 700℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 열처리단계는 상기 적층구조체가 내장된 반응기 내에 질소, 아르곤, 헬륨, 산소, 수소, 공기 중 적어도 하나를 포함하는 기체 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
17 17
제15항에 있어서, 상기 열처리단계는 상기 적층구조체가 내장된 반응기 내를 진공상태로 유지한 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
18 18
제15항에 있어서, 상기 열처리단계는 10초 내지 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
19 19
제8항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 형성단계는 전자빔증착기, 열증착기, 이중형의 열증착기 중 어느 하나의 기기에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
20 19
제8항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 형성단계는 전자빔증착기, 열증착기, 이중형의 열증착기 중 어느 하나의 기기에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01513203 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01513203 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP17086210 JP 일본 FAMILY
4 US07205576 US 미국 FAMILY
5 US07541207 US 미국 FAMILY
6 US20050051783 US 미국 FAMILY
7 US20070254391 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100474639 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1619853 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1513203 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1513203 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2005086210 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2005051783 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US2007254391 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US7205576 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US7541207 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.