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탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173934
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서 탑에미트형 질화물계 발광소자는 기판 위에 n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층이 순차적으로 형성되어 있고, p형 클래드층 위에 개질 금속층과 적어도 하나의 투명 전도성 박막층을 적층 반복 단위로 하여 적어도 한 조 이상이 반복 적층된 멀티 오믹 컨택트층을 구비하며, 개질 금속층은 주석(Sn), 주석(Sn)을 주성분으로 하여 첨가원소가 첨가된 합금 또는 고용체 중 어느 하나로 형성된다. 이러한 탑에미트형 질화물계 발광소자에 의하면, p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 높은 빛 투과성을 제공하여 소자의 발광효율을 높일 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01)H01L 33/0075(2013.01)H01L 33/0075(2013.01)H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020040057587 (2004.07.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0611642-0000 (2006.08.04)
공개번호/일자 10-2006-0007958 (2006.01.26) 문서열기
공고번호/일자 (20060810) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.07.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송준오 대한민국 광주광역시 북구
2 김경국 대한민국 경기도 시흥시
3 홍웅기 대한민국 광주광역시 북구
4 성태연 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0327768-01
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0167444-20
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0379987-14
4 의견서
Written Opinion		 2006.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0379961-38
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0407598-16
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0565339-57
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 탑에미트형 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층 위에 개질 금속층과 상기 개질금속층 위에 형성된 투명 전도성 박막층을 포함하는 멀티 오믹 컨택트층;을 구비하고,상기 개질 금속층은 주석(Sn), 주석(Sn)을 주성분으로 하여 첨가원소가 첨가된 합금 또는 고용체 중 어느 하나로 형성되고,상기 개질 금속층에 적용되는 소재로서 주석에 첨가되는 첨가원소는 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 란탄(La) 원소 계열 금속들 중에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 주석에 대해 첨가되는 상기 첨가원소의 첨가비는 0
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
8 8
제7항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 투명 전도성 산화물(TCO)과 투명 전도성 질화물(TCN) 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 란탄(La) 원소계열의 금속들 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합되어 형성된 것을 포함하고, 상기 투명 전도성 질화물은 타이타늄(Ti)과 질소(N)를 함유하여 형성된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 개질 금속층은 0
10 10
제7항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 10 나노미터 내지 1000 나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
11 10
제7항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 10 나노미터 내지 1000 나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05220409 JP 일본 FAMILY
2 JP20507842 JP 일본 FAMILY
3 JP25065889 JP 일본 FAMILY
4 KR100574105 KR 대한민국 FAMILY
5 KR100611639 KR 대한민국 FAMILY
6 KR1020060007948 KR 대한민국 FAMILY
7 US07880176 US 미국 FAMILY
8 US08053786 US 미국 FAMILY
9 US20080224165 US 미국 FAMILY
10 US20110018027 US 미국 FAMILY
11 WO2006009413 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101027790 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2008507842 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2013065889 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5220409 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2008224165 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2011018027 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US7880176 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8053786 US 미국 DOCDBFAMILY
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