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패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015174220
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 패턴 형성방법이 개시된다. 고분자층이 형성된 기판에 UV-기반의 나노임프린트 리소그래피법을 이용하여 고분자층에 일정한 패턴을 전사한다. 일정한 패턴이 전사된 고분자층에 선택적 에칭법을 이용한 2단 리프트-오프(lift-off) 공정을 적용함으로써 기판에 홀 패턴을 형성한다. 본 발명에 의한 패턴 형성방법은 필라 닷(pillar dot) 형태의 스탬프로부터 패턴 해상도의 왜곡없이 홀 형태의 패턴을 기판에 형성할 수 있다. 나노임프린트 리소그래피, 2단 리프트-오프(lift-off), 홀 패턴
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020090092095 (2009.09.29)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1064900-0000 (2011.09.07)
공개번호/일자 10-2011-0034710 (2011.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20110916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정건영 대한민국 광주광역시 북구
2 정희수 대한민국 광주광역시 북구
3 송선식 대한민국 경기도 안양시 만안구
4 김은욱 대한민국 경상남도 마산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0596573-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.22 수리 (Accepted) 9-1-2011-0017392-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0176158-40
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0401426-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0401421-20
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0427171-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부에 고분자층이 형성된 기판을 제공하는 단계; 상기 고분자층에 일정한 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 및 상기 일정한 패턴이 형성된 고분자층 상에 제1 금속층을 형성하는 단계; 상기 일정한 패턴이 형성된 고분자층을 제거하는 단계; 상기 기판 및 상기 기판 상에 형성된 제1 금속층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 형성된 제1 금속층을 제거하고 상기 기판 상에 형성된 제2 금속층을 마스크로 하여 상기 기판을 식각하는 단계; 및 상기 기판 상에 형성된 제2 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 기판의 패턴 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 고분자층에 일정한 패턴을 형성하는 단계는 필러 닷(pillar dot) 형태의 스탬프를 상기 고분자층에 임프린트 하는 것을 포함하는 기판의 패턴 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제1 금속층을 형성하는 단계에서 상기 제1 금속층은 알루미늄(Al) 또는 금(Au)인 것을 특징으로 하는 기판의 패턴 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제2 금속층을 형성하는 단계에서 상기 제2 금속층은 크롬(Cr)인 것을 특징으로 하는 기판의 패턴 형성방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 고분자층은 poly(dimethylsiloxane), ethylene glycol dimethacrylate 및 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone 을 포함하거나 AS9, AS19 및 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone 을 포함하는 기판의 패턴 형성방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 제공하는 단계에서, 상기 고분자층은 레지스트층과 언더층의 2층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 기판의 패턴 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 광주과학기술원 교과부)특정기초연구지원사업 나노임프린트 리소그라피법을 이용한 염료감응형 태양전지용 수직형 ZnO 나노와이어 전극 개발