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비휘발성 저항 변화 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015174621
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 저항 변화 메모리 소자가 제공된다. 상기 비휘발성 메모리 소자는 제1 전극, 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 산화물막 및 상기 산화물막과 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 300K를 기준으로 산화물 형성 반응시 깁스자유에너지 차가 0 kJ 미만인 금속을 함유하는 반응성 금속막을 포함한다. 저항 변화 메모리 소자, 반응성 금속막
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01)
출원번호/일자 1020090055732 (2009.06.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1176422-0000 (2012.08.17)
공개번호/일자 10-2010-0137608 (2010.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20120830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 성동준 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0378138-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0011140-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0125258-23
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0332188-89
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0332176-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0693783-04
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0067012-58
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0067042-17
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0067041-72
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0067051-28
13 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0433990-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극;제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며, P형 반도체 특성을 가지는 산화물막; 및상기 산화물막과 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 300K를 기준으로 산화물 형성 반응시 깁스자유에너지 차가 0 kJ 미만인 금속을 함유하는 반응성 금속막을 포함하고, 상기 반응성 금속막은 단일 금속으로 구성되며, 상기 산화물 형성 반응시 상기 산화물막과의 계면에 N형 반도체 특성을 가지는 반응성 금속 산화물을 형성하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 반응성 금속막은 300K를 기준으로 산화물 형성 반응시 깁스자유에너지 차가 -100 kJ 내지 -1100 kJ 이상인 금속을 함유하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 반응성 금속막은 Mo막, Ta막, Ti막 또는 Al막인 저항 변화 메모리 소자
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 산화물막은 SrTiO3-X, Nb가 도핑된 SrTiO3-X(Nb:STO), Cr이 도핑된 SrTiO3-X(Cr:STO), BaTiO3-X, LaMnO3-X, SrMnO3-X, PrTiO3-X, PbZrO3-X, Pr3-YCaYMnO3-X(PCMO) 또는 La3-YCaYMnO3-X(LCMO)를 함유하는 층인 비휘발성 저항 변화 메모리 소자:여기서, 상기 X 및 Y는 각각 0≤X≤1 및 0
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
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1 WO2010150957 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2010150957 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교산학협력단 산자부)산업기술개발사업 고신뢰성 ReRAM 소자개발