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비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174193
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 비휘발성 저항 변화 메모리 소자는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자를 제공한다. 상기 비휘발성 저항 변화 메모리 소자는 전도성 패턴, 상기 전도성 패턴의 적어도 일측 측벽에 위치하며, 상기 전도성 패턴의 상부로 돌출된 적어도 하나의 금속팁, 상기 전도성 패턴 및 상기 금속팁 상에 위치하는 저항 변화 물질막 및 상기 저항 변화 물질막 상에 위치하는 상부전극을 포함한다. 또한, 상기 비휘발성 저항 변화 메모리소자 제조방법은 전도성 패턴과 희생패턴의 이중층을 제공하는 단계, 상기 이중층을 덮는 금속막을 형성하는 단계, 상기 금속막을 비등방성 식각하여 상기 전도성 패턴의 적어도 일측 측벽에 스페이서 형태의 금속팁을 형성하는 단계, 상기 희생 패턴을 제거하여 상기 금속팁을 노출시키는 단계, 상기 전도성 패턴 및 상기 금속팁 상에 저항변화 물질막을 형성하는 단계 및 상기 저항변화 물질막 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함한다. 비휘발성 메모리, 저항변화 메모리, 금속팁
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090052469 (2009.06.12)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0133763 (2010.12.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0357206-95
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0594600-89
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0140077-16
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0140093-47
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0564084-16
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0948752-56
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-1043968-18
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0074809-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 패턴; 상기 전도성 패턴의 적어도 일측 측벽에 위치하며, 상기 전도성 패턴의 상부로 돌출된 적어도 하나의 금속팁; 상기 전도성 패턴 및 상기 금속팁 상에 위치하는 저항 변화 물질막; 및 상기 저항 변화 물질막 상에 위치하는 상부전극을 포함하는 비휘발성 메모리소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 전도성 패턴은 하부전극인 비휘발성 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속팁은 Pt, Au, Cu, Ti, Ru, Ir 또는 Al의 재질을 갖는 비휘발성 메모리소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 저항 변화 물질막은 금속산화물막, PCMO(Pr1-XCaXMnO3, 0003c#X003c#1)막, 칼코게나이드막 또는 페로브스카이트막인 비휘발성 메모리소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 저항 변화 물질막은 SiO2 막, Al2O3 막, HfO2 막, ZrO2 막, Y2O3 막, TiO2 막, NiO 막, Nb2O5 막, Ta2O5 막, CuO 막, Fe2O3 막, La 막, Ce 막, Pr 막, Nd 막, Sm 막, Gd 막, Dy 막, GeSbTe 막, SrTiO3막, 또는 Cr 또는 Nb 도핑된 SrZrO3막인 비휘발성 메모리소자
6 6
전도성 패턴과 희생패턴의 이중층을 제공하는 단계; 상기 이중층을 덮는 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막을 비등방성 식각하여 상기 전도성 패턴의 적어도 일측 측벽에 스페이서 형태의 금속팁을 형성하는 단계; 상기 희생 패턴을 제거하여 상기 금속팁을 노출시키는 단계; 상기 전도성 패턴 및 상기 금속팁 상에 저항변화 물질막을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화 물질막 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리소자 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 희생패턴을 제거하기 전에 상기 희생패턴 및 상기 전도성 패턴을 패터닝하여 한 쌍의 하부전극들 및 이들 각각의 상부에 형성된 희생패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 메모리소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교산학협력단 산자부)산업기술개발사업 고신뢰성 ReRAM 소자개발