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저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174665
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 소자는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성되며 상기 하부 전극의 상부 방향으로 돌출된 금속 선형 구조체들, 상기 금속 선형 구조체들의 하부를 둘러싸며 상기 하부 전극 상에 형성된 반도체층, 상기 반도체층 상에 형성되며 상기 반도체층 위로 노출된 금속 선형 구조체들을 덮는 저항 변화막 및 상기 저항 변화막 상에 형성된 상부 전극을 포함한다. 상기 방법은 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 하부 전극 상에 상기 하부 전극의 상부 방향으로 돌출된 금속 선형 구조체들과 상기 금속 선형 구조체들의 하부를 둘러싸는 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 상에 상기 반도체층 위로 노출된 상기 금속 선형 구조체들을 덮는 저항 변화막을 형성하는 단계 및 상기 저항 변화막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 저항 변화 메모리 소자에 소정의 전압 인가 시 금속 선형 구조체에 전계를 집중시킴으로써 소자에서 형성되는 전도성 필라멘트의 위치 및 개수를 제어할 수 있으므로 균일하고 재현성 있는 스위칭 특성을 확보할 수 있다. 또한, 금속-반도체 화합물의 상분리 현상을 이용하여 형성된 금속 선형 구조체는 10nm 이하의 직경을 가지므로 소자의 직접도를 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090052467 (2009.06.12)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0133761 (2010.12.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0357174-11
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0594599-19
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0142365-18
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0226346-98
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0226364-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0557852-00
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번호 청구항
1 1
하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되며, 상기 하부 전극의 상부 방향으로 돌출된 금속 선형 구조체들; 상기 금속 선형 구조체들의 하부를 둘러싸며, 상기 하부 전극 상에 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성되며, 상기 반도체층 위로 노출된 금속 선형 구조체들을 덮는 저항 변화막; 및 상기 저항 변화막 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 선형 구조체는 알루미늄 나노와이어인 저항 변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체층은 실리콘층인 저항 변화 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 하부 전극은 금속-반도체 화합물의 공융점에서 열적 안정성을 갖는 것인 저항 변화 메모리 소자
5 5
a) 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; b) 상기 하부 전극 상에, 상기 하부 전극의 상부 방향으로 돌출된 금속 선형 구조체들과 상기 금속 선형 구조체들의 하부를 둘러싸는 반도체층을 형성하는 단계; c) 상기 반도체층 상에, 상기 반도체층 위로 노출된 상기 금속 선형 구조체들을 덮는 저항 변화막을 형성하는 단계; 및 d) 상기 저항 변화막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 금속 선형 구조체 및 상기 반도체는 각각 알루미늄 나노와이어 및 실리콘인 저항 변화 메모리 소자 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 b) 단계는, 상기 하부 전극 상에 금속-반도체 화합물막을 형성하는 단계; 상기 금속-반도체 화합물막을 열처리하여 금속 선형 구조체들과 반도체 매트릭스로 상분리하는 단계; 및 상기 반도체 매트릭스를 식각하여 금속 선형 구조체들의 적어도 상부 부분을 노출시키는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 금속-반도체 화합물막의 열처리는 금속-반도체 화합물의 공융점에서 수행되는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 금속-반도체 화합물막은 알루미늄-실리콘 화합물막인 저항 변화 메모리 소자 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 알루미늄-실리콘 화합물막은, AlxSi1-x의 조성비를 가지며, 상기 x는 0
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1 지식경제부 한양대학교산학협력단 산자부)산업기술개발사업 고신뢰성 ReRAM 소자개발