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반도체 양자점을 이용한 비휘발성 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014009788
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광신호를 이용하여 쓰기 동작 및 소거 동작을 수행할 수 있는 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 비휘발성 메모리 소자는 채널 영역 상부에 유전층, 반도체 양자점 및 투명 전극층으로 구성된 게이트 전극을 가진다. 반도체 양자점은 유전층 내부에 존재하며, 투명 전극층을 투과하는 광신호에 의해 트랜지스터의 문턱전압을 변경시킨다. 광신호의 조사에 따른 문턱 전압의 변경에 의해 비휘발성 메모리 소자의 쓰기 및 소거 동작은 이루어진다. 또한, 비휘발성 메모리 소자는 이미지 센서로서도 사용된다. 즉, 노출되는 광에 의해 메모리 소자의 문턱 전압은 변경되므로 이를 이용하여 이미지 센서로서 사용될 수 있다.비휘발성 메모리, 양자점, 이미지 센서
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020070112815 (2007.11.06)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0884887-0000 (2009.02.13)
공개번호/일자 10-2008-0104935 (2008.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20090223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070051401   |   2007.05.28
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주 북구
2 조창희 대한민국 광주 북구
3 문진수 대한민국 광주 북구
4 김백현 대한민국 광주 북구
5 김상균 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0797224-35
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0797824-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034584-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0476501-74
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0780862-92
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0780865-28
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0856243-55
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0016069-72
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0016071-64
11 등록결정서
Decision to grant		 2009.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0043846-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
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기판;상기 기판 상에 형성된 소스/드레인 영역;상기 소스/드레인 영역 사이의 채널 영역 상부에 형성된 게이트 전극을 포함하고, 상기 게이트 전극은,상기 채널 영역 상부에 형성되고 광신호의 조사에 의해 전자-정공 쌍을 발생하기 위한 반도체 양자점을 가지는 유전층; 및상기 유전층 상부에 형성되고 광신호가 투과되는 도전성의 투명 전극층을 포함하며, 상기 광신호가 상기 반도체 양자점에 조사되는 것에 따라 쓰기 동작이 수행되고, 상기 반도체 양자점에 광신호가 조사되거나 전압이 인가되는 것에 의해 소거 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제10항에 있어서, 상기 유전층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 마그네슘 산화물, 하프늄 산화물, 실리콘 카바이드, 아연 산화물 및 갈륨 질화물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 어느 하나, 또는 Alq3, P4MS, 폴리아크릴, 파릴렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, PVP 및 PET로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
12 12
제10항에 있어서, 상기 반도체 양자점은 Si, Ge, ZnO, GaN, CdSe, PbS, InP, CdS, ZnSe 또는 GaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
13 13
제10항에 있어서, 상기 투명 전극층은 TCO, 질화화합물 또는 금속 박막인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
14 14
제13항에 있어서, 상기 TCO는 Ga-In-Sn-O, Zn-In-Sn-O, Ga-In-O, Zn-In-O, In-Sn-O, Zn-Sn-O, Mg-In-O, Ga-Zn-O 또는 Al-Zn-O이고, 상기 질화화합물은 TiN 또는 GaN이며, 상기 금속 박막은 Ni, Pt, Pb, Au, Ti, Al, In, Ca 또는 이들의 화합물인 것을 특징을 하는 비휘발성 메모리 소자
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제10항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 소자의 쓰기 동작은 상기 반도체 양자점에서 발생된 상기 전자-정공 쌍 중에 상기 전자는 상기 투명 전극층으로 터닐링시키고, 상기 정공은 상기 기판으로 터널링시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제15항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 소자의 소거 동작은 상기 반도체 양자점에서 잔류하는 정공을 상기 기판으로 터널링시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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