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메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174184
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 메모리 소자를 구성하는 저항변화층과 전극간 접촉면적, 전극간 저항변화층의 길이를 변화시킴으로써 저항변화층의 임계전압을 변화시킬 수 있다. 또한, 복수개 형성되는 저항 변화층의 두께를 조절하여 각 층의 저항변화 특성을 이용한 저항변화 메모리(ReRAM) 소자를 제공할 수 있다. 저항변화 메모리(ReRAM), 접촉면적, 횡방향
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090054237 (2009.06.18)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1025656-0000 (2011.03.22)
공개번호/일자 10-2010-0136061 (2010.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20110330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 최혜정 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0368489-45
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0578969-34
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0108378-14
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0108442-38
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0151096-88
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성되며, 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 사다리꼴 형상을 하고, 인가 전압에 따른 저항변화에 의해 데이터를 기록 또는 소거하는 정보저장부; 상기 절연층 상부 및 상기 정보저장부의 일측면에 형성되고, 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형상을 가지는 제1 전극; 및 상기 정보저장부를 중심으로 상기 제1 전극과 대향하고, 하부로부터 상부로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형상을 가지는 제2 전극을 포함하고, 상기 기판에 평행한 방향으로의 전압의 인가에 의해 상기 정보저장부의 저항은 변화하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장부는, 적어도 하나의 층간절연막 및 저항변화층이 순차적으로 적층된 다층구조를 갖는 것을 특징으로 하는 메모리 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 저항변화층은, 상기 제1 및 제2 전극에 대하여 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자
4 4
삭제
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 저항변화층은, 각각 상기 제1 및 제2 전극간 거리가 서로 상이한 것을 특징으로 하는 메모리 소자
6 6
제 2 항에 있어서, 상기 저항변화층은, 각각 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 메모리 소자
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 저항변화층은, Nb2O5, TiO2, NiO, Al2O3, Pr1-xCaxMnO3, GeSeTe, AgGeSe 및 금속 도핑된 페로브스카이트계 산화물 중 적어도 하나 선택된 것을 특징으로 하는 메모리 소자
8 8
기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 층간절연막 및 저항변화층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 층간절연막 및 상기 저항변화층을 식각하여 컨택홀을 형성하고, 상기 컨택홀의 형성에 의해 상기 층간절연막 및 상기 저항변화층의 연속된 구조가 상기 절연층 상에 사다리꼴 형상을 가지는 정보저장부를 형성하는 단계; 및 상기 컨택홀에 도전체를 충진하여 상기 정보저장부를 중심으로 대향하는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 동일 공정에서 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 층간절연막 및 저항변화층을 순차적으로 적층하는 단계는, 적어도 2 이상의 층간절연막들 및 저항변화층들이 상호 번갈아가며 적층되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 저항변화층들은 서로 다른 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교산학협력단 산자부)산업기술개발사업 고신뢰성 ReRAM 소자개발