맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

그래핀-반도체 멀티 접합을 갖는 전자소자 및 그 제조방법(Electronic device having graphene-semiconductor multi junction and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2015225807
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀-반도체 멀티 접합을 갖는 전자소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 전자소자는 적어도 하나의 그래핀 돌기를 갖는 그래핀층과 이러한 그래핀층을 덮는 반도체층을 포함한다. 상기 그래핀 돌기의 측면은 비평면으로 멀티 에지(edge)를 가질 수 있는데, 상기 그래핀 돌기는 계단식 측면을 가질 수 있다. 상기 그래핀층은 복수의 나노 결정(nano-crystal) 그래핀을 포함한다. 상기 그래핀층은 복수의 나노 결정 그래핀을 포함하는 하부 그래핀층과 상기 하부 그래핀층 상에 형성된 상기 그래핀 돌기를 포함한다. 상기 반도체층은 전이금속 디켈코게나이드(Transition Metal Dichalcogenide)(TMDC)층을 포함할 수 있다. 상기 복수의 그래핀 돌기는 각각 복수의 나노 결정 그래핀을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020140059966 (2014.05.19)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0133088 (2015.11.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.05.13)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신현진 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 김상우 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 이강혁 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 박혜정 대한민국 서울특별시 성북구
5 조은비 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0469329-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0540803-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-0486544-49
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0337359-19
6 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-0738318-40
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.08.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0866942-34
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-0866941-99
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2020.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0596716-68
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-1167501-96
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.11.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-1167502-31
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상기 기판 상에 형성된 그래핀층 및상기 그래핀층을 덮는 반도체층을 포함하고,상기 그래핀층은 복수의 나노 결정 그래핀과 복수의 그래핀 돌기를 포함하는 전자소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 돌기의 측면은 비평면인 전자소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 그래핀 돌기는 계단형 측면을 갖는 전자소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 복수의 그래핀 돌기는 각각 복수의 나노 결정 그래핀을 포함하는 전자소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 복수의 그래핀 돌기의 높이는 동일하거나 다른 전자소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 기판은 유연기판(flexible substrate)인 전자소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 전이금속 디칼코게나이드(TMDC)층인 전자소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 그래핀층은,상기 복수의 나노 결정 그래핀을 포함하는 하부 그래핀층 및 상기 하부 그래핀층 상에 형성된 상기 복수의 그래핀 돌기를 포함하는 전자소자
9 9
제 8 항에 있어서,상기 하부 그래핀층은 순차적으로 적층된 제1 및 제2 그래핀층을 포함하는 전자소자
10 10
제1 기판 상에 복수의 나노 결정 그래핀을 포함하는 그래핀층을 형성하는 단계상기 그래핀층 상에 반도체층을 형성하는 단계상기 그래핀층에서 상기 제1 기판을 분리하는 단계 및 상기 그래핀층과 상기 반도체층을 상기 제1 기판보다 유연한 제2 기판에 전사하는 단계를 포함하고,상기 그래핀층은 복수의 그래핀 돌기를 포함하는 전자소자의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 그래핀층 상에 졸-겔 상태의 반도체 용액층을 도포하는 단계 및 상기 반도체 용액층이 도포된 결과물을 어닐링하는 단계를 포함하는 전자소자의 제조방법
12 12
제 10 항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 그래핀층 상에 상기 반도체층의 성분의 일부를 포함하는 산화막을 형성하는 단계상기 산화막을 상기 반도체층과 동일한 물질의 반도체막으로 변화시키는 단계 및 상기 반도체막을 성장시키는 단계를 포함하는 전자소자의 제조방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 반도체층은 전이금속 디칼코게나이드(TMDC)층인 전자소자의 제조방법
14 14
제 10 항에 있어서,상기 그래핀층을 형성하는 단계는,상기 제1 기판 상에 상기 복수의 나노 결정 그래핀을 포함하는 하부 그래핀층을 형성하는 단계 및 상기 하부 그래핀층 상에 상기 복수의 그래핀 돌기를 형성하는 단계를 포함하는 전자소자의 제조방법
15 15
제 11 항에 있어서,상기 반도체 용액층은 스핀 코팅 방식으로 도포하는 전자소자의 제조방법
16 16
제 11 항에 있어서,상기 반도체 용액층은 상기 반도체층의 성분이 포함된 용액에 상기 그래핀층을 넣었다 꺼내는 단계를 포함하는 전자소자의 제조방법
17 17
제 11 항에 있어서,상기 어닐링은 저온 어닐링 또는 고온 어닐링인 전자소자의 제조방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 고온 어닐링시에 상기 반도체 용액층은 상기 저온 어닐링시보다 두껍게 도포하는 전자소자의 제조방법
19 19
제 10 항에 있어서,상기 그래핀 돌기의 측면은 비평면인 전자소자의 제조방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 그래핀 돌기는 계단형 측면을 갖는 전자소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09685516 US 미국 FAMILY
2 US20150332920 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015332920 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9685516 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.