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저온 상압 플라즈마 노출을 이용한 세포의 생장 조절 방법

  • 기술번호 : KST2015227930
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 상압 플라즈마 노출을 이용한 세포의 생장 조절 방법에 관한 것으로, 플라즈마 가스 유입량, 입력 전압, 세포배양배지의 양, 플라즈마 노출 시간, 발생원과의 거리, 또는 플라즈마 노출 횟수 등의 플라즈마 노출 조건을 조절하여 세포의 생장을 촉진 또는 억제할 수 있는 방법을 제공한다.
Int. CL C12N 5/07 (2010.01) C12N 13/00 (2006.01)
CPC C12N 13/00(2013.01) C12N 13/00(2013.01) C12N 13/00(2013.01)
출원번호/일자 1020110021460 (2011.03.10)
출원인 연세대학교 산학협력단, 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1248668-0000 (2013.03.22)
공개번호/일자 10-2012-0103293 (2012.09.19) 문서열기
공고번호/일자 (20130328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송기원 대한민국 서울특별시 종로구
2 이해준 대한민국 부산광역시 금정구
3 김지연 대한민국 서울특별시 서대문구
4 하창승 대한민국 부산광역시 금정구
5 이영호 대한민국 부산광역시 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
2 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0175148-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0014592-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0433755-39
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0778436-80
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0778440-63
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0125823-90
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
정상세포 또는 줄기세포 배양 시 교류 전원을 이용한 DBD (Dielectric Barrier Discharge) 방식의 상압 플라즈마 발생장치에서 발생하는 저온 상압 플라즈마의 노출 조건을 제어하는 단계를 포함하는 세포 생장 촉진 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,저온 상압 플라즈마 노출 조건은 가스 유입량, 외부에서 플라즈마 발생장치의 전원부로 공급되는 직류 전압인 입력 전압, 세포배양배지의 양, 플라즈마 노출 시간, 플라즈마 발생원으로부터 피검 세포 시료까지의 거리, 또는 플라즈마 노출 횟수 중 적어도 하나를 포함하는 세포 생장 촉진 방법
4 4
제3항에 있어서,세포배양배지는 정상세포 또는 줄기세포 배양에 사용되는 배지인 세포 생장 촉진 방법
5 5
삭제
6 6
제1항 또는 제3항에 있어서,정상세포의 생장을 촉진하는 저온 상압 플라즈마의 노출 조건은 0
7 7
제1항 또는 제3항에 있어서,줄기세포의 생장을 촉진하는 저온 상압 플라즈마의 노출 조건은 0
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.