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고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 따라 제조된 고성능 산화물 박막트랜지스터(PREPARATION METHOD FOR OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH HIGH PERFORMANCE AND OXIDE THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURED THEREWITH)

  • 기술번호 : KST2016015198
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종래의 산화물 박막트랜지스터에 비해 월등하게 모빌리티가 증가되어 투명 디스플레이, 특히 대면적 디스플레이에 적용할 수 있는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020150018623 (2015.02.06)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0097428 (2016.08.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.06)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김연상 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 임건희 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 이응규 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노경규 대한민국 서울시 서초구 반포대로**길 ** 매강빌딩 *층(에이치앤에이치국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0129675-44
2 보정요구서
Request for Amendment		 2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0038969-43
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0196106-47
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0077030-16
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0315600-86
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0622169-74
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0622180-77
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0622543-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 절연체 용액을 글로브 박스 내에서 기판에 코팅하고 100~300 ℃에서 기판을 선가열 처리하는 단계;상기 기판을 15~80% 습도 하에 100~600 ℃로 가열하고 식혀 산화물 절연체 박막을 형성하는 단계; 및산화물 반도체 용액을 글로브 박스 내에서 산화물 절연체 박막 상에 코팅하고 가열하여 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 를 포함하는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 산화물 절연체는 Al2O3 또는 ZrO인 것을 특징으로 하는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 산화물 절연체를 형성하는 용액의 전구체는 Al(NO)39H2O, AlCl3, Al(OH)3, Al2(SO4)3, Al(OCH(CH3)2)3, Al(C5H7O2)3, Al(OH)(C2H3O2)2 및 Al2O3로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 산화물 절연체를 형성하는 전구체는 Zr(C5H7O2)4, ZrC8H12O8, Zr(OC2H5)4, ZrI4, ZrF4, ZrCl4,ZrO(NO3)2,Zr(CH2CHCO2)4,Zr(OCH(CH3)2)4, Zr(OH)4 및 ZrO2로 이루어진 군에서 선택되는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체는 ZnO, InO, GaO, IZOm IGO 및 IGZO로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 Al, Cr, Ti, Au, Ag 또는 Cu을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막은 400~600 ℃에서 가열하여 형성되는 것을 특징으로 하는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 Al2O3 용액은 2-메톡시에탄올 중에의 0
10 10
제 1 항에 있어서,상기 Al2O3 용액을 60~130 ℃로 가열한 후 식혀 사용하는 것을 특징으로 하는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체 용액은 2-메톡시에탄올 중 0
12 12
제 1 항에 있어서,상기 Al2O3 박막은 3~500 nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막은 5~150 nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
14 14
제 1 항에 있어서,상기 기판은 고분자, 실리콘, 쿼츠 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법
15 15
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 산화물 박막트랜지스터
16 16
제 15 항에 있어서,모빌리티가 400~500 cm2/Vs인 산화물 박막트랜지스터
17 17
제 1항에 있어서 글로브 박스가 아닌 대기 분위기에서 코팅하는 제조 방법
18 18
제 14 항 또는 제 15 항에 따른 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 디스플레이
19 19
제 15,16 항에 있어서, 투명 디스플레이인 것을 특징으로 하는 디스플레이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 중견연구자지원사업 도약과제 신기능 나노소자를 위한 계면소재공정