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1
기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성된 제1 발광층과, 상기 제1 발광층 상에 형성된 제2 발광층을 포함하는 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 전자 수송층; 상기 전자 수송층 상에 형성된 제2 전극; 상기 제2 전극 상에 형성된 쌍안정 유기층; 및 상기 쌍안정 유기층 상에 형성된 제3 전극을 포함하고, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 발광 파장이 서로 다른 물질로 이루어져, 온/오프(On/Off) 상태에 따라 상기 발광층의 광량 및 색이 제어되며, 상기 온/오프 상태에 따른 큰 광량 차이를 얻지 못할 경우, 상기 발광층의 색 제어를 통해 데이터를 검출하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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2 |
2
제1항에 있어서,상기 쌍안정 유기발광소자는 상기 온/오프 상태 변화를 상기 발광층의 색 변화를 이용하여 검출하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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3 |
3
제2항에 있어서,상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 인가되는 전압에 따라 서로 다른 광량을 나타내고, 상기 발광층은 전압의 변화에 따라 상기 색 변화를 나타내는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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4 |
4
제1항에 있어서,상기 제1 발광층은 mCP:Firpic, Alq3 및 CBP:Ir(ppy)3로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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5 |
5
제1항에 있어서,상기 제2 발광층은 mCP:Ir(bt)2(acac), CBP:Rubrene 및 Alq3:PtOEP으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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6 |
6
제1항에 있어서,상기 쌍안정 유기층은 유기물 단일층, 유기물 이중층 및 유기물층/무기물층/유기물층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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7 |
7
제6항에 있어서,상기 유기물은 Alq3, PVK(poly-N-vinylcarbazole), PVP(poly-4-vinyl-phenol), PS(poly styrene), PI(polyimide), PFV(poly(fluorenyl-2,7-vinylene)), MEH-PPV(poly(2-methhoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-pheneylenevinylene)) 및 AIDCN(2-amio-4, 5-imidazoledicarbonitrile)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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8 |
8
제6항에 있어서,상기 무기물은 Al, Au, ZnO, Cu2O, Ga2O3 및 W2O3으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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9
제1항에 있어서,상기 정공 수송층은 NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB, β-TNB, HMTPD, α,β-TNB, α-TNB, β- NPP, PEDOT: PSS, PVK, WO3, NiO2, Mo 및 MoO3으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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10 |
10
제1항에 있어서,상기 전자 수송층은 C60, C70, PCBM(C60), PCBM(C70), PCBM(C75), PCBM(C80), Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy-OXD, BP-OXD-Bpy, TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7, 3TPYMB, 2-NPIP, PADN, HNBphen, POPy2, BP4mPy, TmPyPB 및 BTB으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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11
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 InSnO(ITO), AlZnO(AZO), GaZnO(GZO), InGaZnO(IGZO), MgZnO(MZO), MoZnO, AlMgO, GaMgO, FSnO2, NbTiO2 및 CuAlO2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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12 |
12
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 CuAlO2/Ag/CuAlO2, ITO/Ag/ITO, ZnO/Ag/ZnO, ZnS/Ag/ZnS, TiO2/Ag/TiO2, ITO/Au/ITO, WO3/Ag/WO3 또는 MoO3/Ag/MoO3으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 다층구조인 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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13
제1항에 있어서,상기 제2 전극 및 상기 제3 전극은 Al, Au, Ag, Cu, Pt, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd, Pd, 그래핀, SW-CNT, DW-CNT, MW-CNT 및 C60으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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14
제1항에 있어서,상기 정공 수송층과 상기 제1 발광층의 사이, 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층의 사이, 상기 제2 발광층과 상기 전자 수송층의 사이 중 적어도 어느 한 부분에 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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15
제14항에 있어서,상기 중간층은 mCP, CBP, CDBP, DCB, DCz, Ad-Cz, TCz1, CzSi, CBZ1-F2, CBF, SlimCP, TCTEB, 4CzPBP, 3CzPBP, 2,6DCzPPy, 3,6DCzPPy, BSB, BST, TPSi-F, DPCzPSi, PO1, PO6, DBF, SPPO1, MPO12, UGH1, UGH2, UGH3, TCTA, TPBi, Alq3, BAlq, CbBPCb, CzPhO, CZPPQ, CzPPQCz, Bebq2, Bepp2, BIQF, NPB 및 BCP으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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16
제1항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 정공 수송층의 사이에 정공 주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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17
제1항에 있어서,상기 전자 수송층과 제2 전극의 사이에 전자 주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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18
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 산화알루미늄(Al2O3), 탄화규소(SiC), 유리(glass), 석영(quartz), PET(poly ethylene terephthalate), PS(poly styrene), PI(polyimide), PVC(polyvinyl chloride), PVP(polyvinyl pyrrolidone) 및 PE(poly Ethylene)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
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기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 제1 발광층을 형성하고, 상기 제1 발광층 상에 제2 발광층을 형성하여 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 상기 전자 수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극 상에 쌍안정 유기층을 형성하는 단계; 및 상기 쌍안정 유기층 상에 제3 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 발광 파장이 서로 다른 물질로 이루어져, 온/오프(On/Off) 상태에 따라 상기 발광층의 광량 및 색이 제어되며, 상기 온/오프 상태에 따른 큰 광량 차이를 얻지 못할 경우, 상기 발광층의 색 제어를 통해 데이터를 검출하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자의 제조방법
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