맞춤기술찾기

이전대상기술

쌍안정 유기발광소자 및 그의 제조방법(BISTABLE ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2018004037
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 쌍안정 유기발광소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 쌍안정 유기발광소자는, 기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 전자 수송층; 상기 전자 수송층 상에 형성된 제2 전극; 상기 제2 전극 상에 형성된 쌍안정 유기층; 및 상기 쌍안정 유기층 상에 형성된 제3 전극을 포함하고, 상기 발광층은 상기 정공 수송층 상에 형성된 제1 발광층, 및 상기 제1 발광층 상에 형성된 제2 발광층을 포함한다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01) G09G 3/3208 (2016.01.01) H05B 33/08 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5036(2013.01) H01L 51/5036(2013.01) H01L 51/5036(2013.01) H01L 51/5036(2013.01) H01L 51/5036(2013.01) H01L 51/5036(2013.01) H01L 51/5036(2013.01) H01L 51/5036(2013.01) H01L 51/5036(2013.01) H01L 51/5036(2013.01) H01L 51/5036(2013.01)
출원번호/일자 1020160128149 (2016.10.05)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0037684 (2018.04.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.05)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 강남구
2 이지환 대한민국 경기도 평택시 중앙로
3 추동철 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김대훈 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0962673-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0138415-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0650430-79
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0972659-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0972705-46
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0910303-11
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0099490-60
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.01.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0099525-70
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0118724-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성된 제1 발광층과, 상기 제1 발광층 상에 형성된 제2 발광층을 포함하는 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 전자 수송층; 상기 전자 수송층 상에 형성된 제2 전극; 상기 제2 전극 상에 형성된 쌍안정 유기층; 및 상기 쌍안정 유기층 상에 형성된 제3 전극을 포함하고, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 발광 파장이 서로 다른 물질로 이루어져, 온/오프(On/Off) 상태에 따라 상기 발광층의 광량 및 색이 제어되며, 상기 온/오프 상태에 따른 큰 광량 차이를 얻지 못할 경우, 상기 발광층의 색 제어를 통해 데이터를 검출하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 쌍안정 유기발광소자는 상기 온/오프 상태 변화를 상기 발광층의 색 변화를 이용하여 검출하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 인가되는 전압에 따라 서로 다른 광량을 나타내고, 상기 발광층은 전압의 변화에 따라 상기 색 변화를 나타내는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 발광층은 mCP:Firpic, Alq3 및 CBP:Ir(ppy)3로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
5 5
제1항에 있어서,상기 제2 발광층은 mCP:Ir(bt)2(acac), CBP:Rubrene 및 Alq3:PtOEP으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
6 6
제1항에 있어서,상기 쌍안정 유기층은 유기물 단일층, 유기물 이중층 및 유기물층/무기물층/유기물층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
7 7
제6항에 있어서,상기 유기물은 Alq3, PVK(poly-N-vinylcarbazole), PVP(poly-4-vinyl-phenol), PS(poly styrene), PI(polyimide), PFV(poly(fluorenyl-2,7-vinylene)), MEH-PPV(poly(2-methhoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-pheneylenevinylene)) 및 AIDCN(2-amio-4, 5-imidazoledicarbonitrile)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
8 8
제6항에 있어서,상기 무기물은 Al, Au, ZnO, Cu2O, Ga2O3 및 W2O3으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
9 9
제1항에 있어서,상기 정공 수송층은 NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB, β-TNB, HMTPD, α,β-TNB, α-TNB, β- NPP, PEDOT: PSS, PVK, WO3, NiO2, Mo 및 MoO3으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
10 10
제1항에 있어서,상기 전자 수송층은 C60, C70, PCBM(C60), PCBM(C70), PCBM(C75), PCBM(C80), Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy-OXD, BP-OXD-Bpy, TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7, 3TPYMB, 2-NPIP, PADN, HNBphen, POPy2, BP4mPy, TmPyPB 및 BTB으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
11 11
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 InSnO(ITO), AlZnO(AZO), GaZnO(GZO), InGaZnO(IGZO), MgZnO(MZO), MoZnO, AlMgO, GaMgO, FSnO2, NbTiO2 및 CuAlO2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
12 12
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 CuAlO2/Ag/CuAlO2, ITO/Ag/ITO, ZnO/Ag/ZnO, ZnS/Ag/ZnS, TiO2/Ag/TiO2, ITO/Au/ITO, WO3/Ag/WO3 또는 MoO3/Ag/MoO3으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 다층구조인 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
13 13
제1항에 있어서,상기 제2 전극 및 상기 제3 전극은 Al, Au, Ag, Cu, Pt, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd, Pd, 그래핀, SW-CNT, DW-CNT, MW-CNT 및 C60으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
14 14
제1항에 있어서,상기 정공 수송층과 상기 제1 발광층의 사이, 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층의 사이, 상기 제2 발광층과 상기 전자 수송층의 사이 중 적어도 어느 한 부분에 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
15 15
제14항에 있어서,상기 중간층은 mCP, CBP, CDBP, DCB, DCz, Ad-Cz, TCz1, CzSi, CBZ1-F2, CBF, SlimCP, TCTEB, 4CzPBP, 3CzPBP, 2,6DCzPPy, 3,6DCzPPy, BSB, BST, TPSi-F, DPCzPSi, PO1, PO6, DBF, SPPO1, MPO12, UGH1, UGH2, UGH3, TCTA, TPBi, Alq3, BAlq, CbBPCb, CzPhO, CZPPQ, CzPPQCz, Bebq2, Bepp2, BIQF, NPB 및 BCP으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
16 16
제1항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 정공 수송층의 사이에 정공 주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
17 17
제1항에 있어서,상기 전자 수송층과 제2 전극의 사이에 전자 주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
18 18
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 산화알루미늄(Al2O3), 탄화규소(SiC), 유리(glass), 석영(quartz), PET(poly ethylene terephthalate), PS(poly styrene), PI(polyimide), PVC(polyvinyl chloride), PVP(polyvinyl pyrrolidone) 및 PE(poly Ethylene)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자
19 19
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 제1 발광층을 형성하고, 상기 제1 발광층 상에 제2 발광층을 형성하여 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 상기 전자 수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극 상에 쌍안정 유기층을 형성하는 단계; 및 상기 쌍안정 유기층 상에 제3 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 발광 파장이 서로 다른 물질로 이루어져, 온/오프(On/Off) 상태에 따라 상기 발광층의 광량 및 색이 제어되며, 상기 온/오프 상태에 따른 큰 광량 차이를 얻지 못할 경우, 상기 발광층의 색 제어를 통해 데이터를 검출하는 것을 특징으로 하는 쌍안정 유기발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 도약연구(도전-후속연구지원) 나노 복합체 기반 memristive 메모리 소자와 고효율 유기 발광 소자 개발