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이차원 전이금속 화합물 기반 PN 다이오드를 이용한 무전원 가스센서 및 그 제작 방법(SELF-POWERED GAS SENSOR USING DIMENSIONAL TRANSITION METAL DICHALOGENIDES BASED PN DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)
- 기술번호 : KST2018006397
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 일실시예에 따르면, 이차원 전이금속 화합물 기반 PN 다이오드를 이용한 무전원 가스센서 제작 방법은 기판에 제1 전극을 생성하는 단계; CVD(Chemical Vapor Deposition) 기반의 대면적 합성법을 이용하여, 상기 제1 전극이 생성된 기판에 전이금속 디칼코게나이드 물질로 P 타입 반도체 및 N 타입 반도체를 형성하는 단계; 및 상기 P 타입 반도체와 상기 N 타입 반도체가 형성된 기판에 제2 전극을 생성하는 단계를 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | G01N 27/12 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) |
| CPC | G01N 27/129(2013.01) G01N 27/129(2013.01) G01N 27/129(2013.01) G01N 27/129(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020160152531 (2016.11.16) |
| 출원인 | 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단, 연세대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2018-0055117 (2018.05.25) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2016.11.16) |
| 심사청구항수 | 7 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김형준 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
| 2 | 송정규 | 대한민국 | 대구광역시 달서구 |
| 3 | 고경용 | 대한민국 | 서울특별시 은평구 |
| 4 | 김영준 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 5 | 박규남 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 6 | 박주상 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김정훈 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** 삼성빌딩 *층(피앤티특허사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2016.11.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1117895-14 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2016.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1131079-14 |
| 3 | 보정요구서 Request for Amendment |
2016.11.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2016-0167141-94 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2016.12.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1251718-62 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2017.09.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2017.11.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2017-0036540-64 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2018.01.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0006205-64 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2018.03.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0220387-72 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2018.03.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0220388-17 |
| 10 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2018.06.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0371694-27 |
| 11 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 |
2018.07.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0658718-97 |
| 12 | 법정기간연장승인서 |
2018.07.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2018-0104509-51 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2018.08.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0770035-16 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2018.08.03 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2018-0770036-62 |
| 15 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2018.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0556081-99 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정) |
2018.10.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-5018684-27 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 이차원 전이금속 화합물 기반 PN 다이오드를 이용한 무전원 가스센서 제작 방법에 있어서, 기판에 제1 전극을 생성하는 단계; 할라이드(Halide) 계열의 리간드를 갖는 전구체(Precursor) 및 반응 물질을 이용하는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기반의 대면적 합성법에 의해, 상기 제1 전극이 생성된 기판에 P 타입 반도체로 전이금속 디칼코게나이드 물질을 합성하는 단계; 상기 P 타입 반도체 중 상기 제1 전극에 맞닿는 영역 상에 캡핑층(Capping layer)-상기 캡핑층은 N 타입 반도체가 상기 P 타입 반도체 중 상기 제1 전극과 맞닿는 영역에 접촉되는 것을 보호함-을 생성하는 단계; 상기 할라이드 계열의 리간드를 갖는 전구체 및 반응 물질을 이용하는 상기 CVD 기반의 대면적 합성법에 의해, 상기 P 타입 반도체가 형성된 기판에 상기 N 타입 반도체로 상기 전이금속 디칼코게나이드 물질을 합성하는 단계; 및 상기 P 타입 반도체와 상기 N 타입 반도체가 형성된 기판에 제2 전극을 생성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 전극이 생성된 기판에 상기 P 타입 반도체로 상기 전이금속 디칼코게나이드 물질을 합성하는 단계는 상기 전구체 중 반응하지 않은 나머지를 제거하기 위하여, 비활성 가스를 주입하는 단계를 더 포함하며, 상기 P 타입 반도체가 형성된 기판에 상기 N 타입 반도체로 상기 전이금속 디칼코게나이드 물질을 합성하는 단계는 상기 반응 물질에 따른 부산물이 잔여하는 것을 방지하기 위해, 알칼리 금속염을 촉매로 사용하는 단계를 더 포함하는 무전원 가스센서 제작 방법 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제1항에 있어서,상기 제1 전극이 생성된 기판에 상기 P 타입 반도체로 상기 전이금속 디칼코게나이드 물질을 합성하는 단계는 상기 제1 전극이 생성된 기판에 상기 전이금속 디칼코게나이드 물질을 복수의 층들로 합성하는 단계를 포함하는 무전원 가스센서 제작 방법 |
| 4 |
4 제1항에 있어서,상기 전구체는 Ti, Hf, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Tc, Re, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Zn 또는 Sn 중 적어도 하나의 전이 금속을 포함하는, 무전원 가스센서 제작 방법 |
| 5 |
5 제4항에 있어서,상기 전구체는 TiCl4, TiF4, TiI4, HfCl4, HfCp2Me2, HfI4, Hf(CpMe)2(OMe)Me, ZrCl4, ZrI4, VCl3, VoCl3, NbCl5, TaCl5, TaF5, TaI5, MoCl5, Mo(CO)6, WCl6, WCl4, WF6, WOCl4, TcCl4, ReCl4, ReCl5, ReCl6, CoCl2, CoCp(CO)2, CoI2, Co(acac)2, CoCp2, RhCl5, IrCl3, NiCl2, Ni(acac)2, NiCp2, PdCl2, Pd(thd)2, PtCl2, ZnCl2, ZnMe2, ZnEt2, ZnI2, SnCl2, SnCl4 또는 SnI4 중 적어도 하나를 포함하는, 무전원 가스센서 제작 방법 |
| 6 |
6 제1항에 있어서,상기 반응 물질은 S, Se 또는 Te 중 적어도 하나의 칼코겐족 원소를 포함하는, 무전원 가스센서 제작 방법 |
| 7 |
7 제6항에 있어서,상기 반응 물질은 황파우더(Sulfur powder), 황화수소(H2S), 디에틸설파이드(Diethyl sulfide), 디메틸디설파이드(Dimethyl disulfide), 에틸메틸설파이드(Ethyl methyl sulfide), (Et3Si)2S, 셀레늄 파우더(Selenium powder), 셀레늄화수소(H2Se), 디에틸셀레나이드(Diethyl selenide), 디메틸디셀레나이드(Dimethyl diselenide), 에틸메틸셀레나이드(Ethyl methyl selenide), (Et3Si)2Se, 텔레늄 파우더(Telenium powder), 텔레늄화수소(H2Te), 디메틸텔루라이드(Dimethyl telluride), 디에틸텔루라이드(Diethyl telluride), 에틸메틸텔루라이드(Ethylmethyl telluride) 또는 (Et3Si)2Te 중 적어도 하나를 포함하는, 무전원 가스센서 제작 방법 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 삭제 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 이차원 전이금속 화합물 기반 PN 다이오드를 이용한 무전원 가스센서 제작 방법에 있어서, 기판에 제1 전극을 생성하는 단계; 할라이드 계열의 리간드를 갖는 전구체 및 반응 물질을 이용하는 CVD 기반의 대면적 합성법에 의해, 상기 제1 전극이 생성된 기판에 N 타입 반도체로 전이금속 디칼코게나이드 물질을 합성하는 단계; 상기 N 타입 반도체 중 상기 제1 전극이 맞닿는 영역에 캡핑층-상기 캡핑층은 P 타입 반도체가 상기 N 타입 반도체 중 상기 제1 전극과 맞닿는 영역에 접촉되는 것을 보호함-을 생성하는 단계;상기 할라이드 계열의 리간드를 갖는 전구체 및 반응 물질을 이용하는 상기 CVD 기반의 대면적 합성법에 의해, 상기 N 타입 반도체가 형성된 기판에 상기 P 타입 반도체로 상기 전이금속 디칼코게나이드 물질을 합성하는 단계; 및 상기 N 타입 반도체와 상기 P 타입 반도체가 형성된 기판에 제2 전극을 생성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 전극이 생성된 기판에 상기 N 타입 반도체로 상기 전이금속 디칼코게나이드 물질을 합성하는 단계는 상기 반응 물질에 따른 부산물이 잔여하는 것을 방지하기 위해, 알칼리 금속염을 촉매로 사용하는 단계를 더 포함하며, 상기 N 타입 반도체가 형성된 기판에 상기 P 타입 반도체로 상기 전이금속 디칼코게나이드 물질을 합성하는 단계는 상기 전구체 중 반응하지 않은 나머지를 제거하기 위하여, 비활성 가스를 주입하는 단계를 더 포함하는 무전원 가스센서 제작 방법 |
| 12 |
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| 지정국 정보가 없습니다 |
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| 패밀리정보가 없습니다 |
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| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 미래창조과학부 | 연세대학교 산학협력단 | 중견연구자지원사업 | 백금 대체용 수소 발생 촉매를 위한 대면적/고전도성전이금속 디칼코게나이드 합성 연구 |
| 2 | 미래창조과학부 | 연세대학교 산학협력단 | 글로벌프런티어사업(다차원 스마트 IT 융합 시스템 연구) | 상시 환경 모니터링을 위한 원자층 PN 광 다이오드 기반무전원 분자 검출 시스템 개발 |
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2016.11.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1117895-14 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 | 2016.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1131079-14 |
| 3 | 보정요구서 | 2016.11.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2016-0167141-94 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2016.12.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1251718-62 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2017.09.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2017.11.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2017-0036540-64 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2018.01.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0006205-64 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2018.03.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0220387-72 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2018.03.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0220388-17 |
| 10 | 거절결정서 | 2018.06.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0371694-27 |
| 11 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2018.07.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0658718-97 |
| 12 | 법정기간연장승인서 | 2018.07.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2018-0104509-51 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2018.08.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0770035-16 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2018.08.03 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2018-0770036-62 |
| 15 | 등록결정서 | 2018.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0556081-99 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정) | 2018.10.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-5018684-27 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1711041933 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2011-0031848 |
| 연구과제명 | 초저전력 전자융합 소자 및 응용 시스템 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2016 |
| 연구기간 | 201607~201704 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1711043576 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2014R1A2A1A11052588 |
| 연구과제명 | 백금 대체용 수소 발생 촉매를 위한 대면적/고전도성 전이금속 디칼코게나이드 합성 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2016 |
| 연구기간 | 201611~201710 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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| [1020160152531] | 이차원 전이금속 화합물 기반 PN 다이오드를 이용한 무전원 가스센서 및 그 제작 방법(SELF-POWERED GAS SENSOR USING DIMENSIONAL TRANSITION METAL DICHALOGENIDES BASED PN DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) | 새창보기 |
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