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정전 감도 향상 보호막을 가진 정전방식 지문센서

  • 기술번호 : KST2018008619
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유전율이 10 내지 100인 고유전물질을 포함하는 정전감도 향상 보호막이 최상부에 형성된 것을 특징으로 하는 정전방식의 지문인식 센서를 제공한다.
Int. CL G06K 9/00 (2006.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01) C23C 16/40 (2006.01.01) C23C 14/30 (2006.01.01) C23C 16/505 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC G06K 9/00053(2013.01) G06K 9/00053(2013.01) G06K 9/00053(2013.01) G06K 9/00053(2013.01) G06K 9/00053(2013.01) G06K 9/00053(2013.01) G06K 9/00053(2013.01) G06K 9/00053(2013.01) G06K 9/00053(2013.01)
출원번호/일자 1020160179290 (2016.12.26)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0062305 (2018.06.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160161784   |   2016.11.30
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상희 대한민국 대전광역시 유성구
2 강일석 대한민국 대전광역시 서구
3 전국진 대한민국 전라북도 전주시 완산구
4 이승희 대한민국 경기도 평택시 경기대로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1274878-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0121705-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0569201-41
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-1011775-26
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1139262-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1257743-78
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1257744-13
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2018.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0289507-51
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.06.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0632947-37
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0632946-92
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0687414-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유전율이 10 내지 100인 고유전물질을 포함하는 정전감도 향상 보호막이 최상부에 형성된, 정전방식 지문 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 정전감도 향상 보호막은, 상기 정전방식 지문 센서를 구성하는 기판, 트랜지스터, 절연층 및 전극을 봉지하되, 지문을 가지는 인체의 적어도 일부와 직접 접촉할 수 있도록 최상부에 배치된, 정전방식 지문 센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 정전감도 향상 보호막은 AlOx, TiOx, HfOx 및 ZrOx 중의 어느 하나로 이루어진 단일층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는, 정전방식 지문 센서
4 4
제 1 항에 있어서,상기 정전감도 향상 보호막은 AlOx, TiOx, HfOx 및 ZrOx 중에서 선택된 적어도 둘 이상의 복합층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는, 정전방식 지문 센서
5 5
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 정전감도 향상 보호막은 전자빔(e-beam) 증착, PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition), LPCVD(low pressure chemical vapor deposition) 또는 ALD(atomic layer deposition) 방법으로 형성된, 정전방식 지문 센서
6 6
제 1 항에 있어서,상기 정전감도 향상 보호막은 유-무기 폴리머 구조를 가지는 것을 특징으로 하는, 정전방식 지문 센서
7 7
제 1 항에 있어서,상기 정전감도 향상 보호막은 Si을 함유하는 유무기 폴리머 구조를 가지는 것을 특징으로 하는, 정전방식 지문 센서
8 8
제 1 항에 있어서,상기 정전감도 향상 보호막은 AlOx, TiOx, HfOx 및 ZrOx 중의 적어도 하나를 포함하는 제 1 층과 유-무기 폴리머 구조를 가지는 제 2 층을 구비하는 복합 구조막인 것을 특징으로 하는, 정전방식 지문 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 나노종합기술원 나노 Open Innovation Lab 협력사업 모바일 보안을 위한 지문인식 중심의 유연 다중생체인식 센서