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터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018010392
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 고압 또는 저압의 수소열처리 단계를 포함하는 터널 전계 효과 트랜지스터 제조방법을 통해 다양한 전기적 특성이 향상된 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자를 제공하는 것이다.
Int. CL H01L 29/73 (2006.01.01) H01L 29/772 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/762 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01)
출원번호/일자 1020170007108 (2017.01.16)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0084266 (2018.07.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.16)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최창환 대한민국 서울특별시 성동구
2 임동환 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0050455-56
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0192135-28
3 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0513528-54
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 터널 전계 효과 트랜지스터(Tunnel field-effect transistor : TFET) 반도체 소자를 제조하는 단계; 및(b) 수소 가스를 이용하여 상기 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자를 수소열처리 하는 단계를 포함하고,상기 (b)단계를 통해, 상기 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자의 전기적 특성을 개선하는 것을 특징으로 하는 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a)단계에서, 상기 제조된 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자가 High-K 금속 게이트(High-K / Metal gate : HKMG)를 포함하는 실리콘 온 인슐레이터(Silicon on insulator : SOI) 구조의 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (b)단계에서, 상기 수소 가스를 일정한 분압으로 흘려주며 상기 수소열처리 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 일정한 분압은 1 mTorr 내지 5 mTorr의 저압인 것을 특징으로 하는 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (b)단계의 세부단계로, (b-1) 상기 수소 가스를 챔버(chamber)내에 주입하여 상기 챔버 내부의 압력을 조절하는 단계;(b-2) 상기 챔버를 외부와 차단시켜 상기 조절된 챔버 내부의 압력이 변화하지 않도록 하는 단계; 및(b-3) 상기 챔버를 이용하여 수소열처리 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 조절된 챔버 내부의 압력은 10 atm 내지 50 atm의 고압인 것을 특징으로 하는 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 (b)단계에서,상기 수소열처리 온도는 400 내지 500인 것을 특징으로 하는 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 (b)단계에서,상기 수소 가스 분위기는 5~10% 수소 또는 5~10% 중수소인 것을 특징으로 하는 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 (b)단계에서, 상기 수소 가스 분위기는 100% 수소 또는 100% 중수소인 것을 특징으로 하는 터널 전계 효과 트랜지스터 반도체 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서강대학교 산학협력단 산업기술혁신사업/ 산업핵심기술개발사업/ 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 0.7 V 이하 저전압 구동을 위한 Post-CMOS 미래 반도체소자 원천기술 개발