| 1 |
1
기판상에 혼성 자기조립된 정류 분자 및 비정류 분자의 단분자층을 포함하며,상기 정류 분자는 연결기-절연 잔기-전도성 잔기로 구성되고,상기 비정류 분자는 연결기-절연 잔기로 구성되는 것인, 분자 정류기
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 기판은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 및 갈륨비소(GaAs)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 분자 정류기
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 연결기는 티올(-SH), 디설퍼(-S-S-) 또는 아민(-NH2) 기이고,상기 절연 잔기는 포화된 사슬형 또는 고리형 탄화수소이고,상기 전도성 잔기는 공액 호모-고리형 방향족, 유기금속착화물, 헤테로-고리형 방향족, 공액 사슬형 탄화수소 또는 풀러렌인 것을 특징으로 하는, 분자 정류기
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,상기 정류 분자는 화학식 HS-(CH2)n-BIPY (BIPY=4'-메틸-2,2'-바이피리딜, n은 1 내지 30 중 어느 하나의 정수)의 화합물인 것을 특징으로 하는, 분자 정류기
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 비정류 분자는 화학식 HS-(CH2)n-1-CH3 (n은 1 내지 30 중 어느 하나의 정수)의 화합물인 것을 특징으로 하는, 분자 정류기
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 정류 분자 및 비정류 분자의 길이비는 1:0
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 정류 분자 및 비정류 분자의 기판 표면 내 몰비는 1:0
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서,상기 정류 분자와 비정류 분자간의 길이비를 조절함으로써 정류 기울기(gradient of rectification)를 조절하는 것을 특징으로 하는, 분자 정류기
|
| 9 |
9
(1) 정류 분자 및 비정류 분자의 혼합용액을 제조하는 단계; 및 (2) 상기 혼합용액을 비활성 분위기 하에 기판에 가하여 혼성 자기조립된 단분자층을 제조하는 단계;를 포함하며,상기 정류 분자는 연결기-절연 잔기-전도성 잔기로 구성되고,상기 비정류 분자는 연결기-절연 잔기로 구성되는 것인, 분자 정류기의 제조방법
|
| 10 |
10
제 9항에 있어서,상기 (1) 단계에서, 정류 분자 및 비정류 분자의 길이비는 1:0
|
| 11 |
11
제 9항에 있어서,상기 (1)단계에서, 정류 분자 및 비정류 분자의 몰 농도비는 1:0
|
| 12 |
12
제 9항에 있어서,상기 (1) 단계에서, 용매는 디클로로메탄, 클로로포름, 알코올, 톨루엔, 올레산, 올레 아민, 및 디메틸포름아미드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 분자 정류기의 제조방법
|
| 13 |
13
제 9항에 있어서,상기 (2) 단계에서, 비활성 분위기는 헬륨, 아르곤, 또는 질소를 포함하는 것을 특징으로 하는, 분자 정류기의 제조방법
|
| 14 |
14
제 1항의 분자 정류기를 포함하는, 직류전원장치
|
