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페로브스카이트-유기 저분자 호스트 혼합 발광층을 포함하는 발광 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019035201
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 페로브스카이트-유기 저분자 호스트 혼합 발광층을 포함하는 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 발광 소자 내의 페로브스카이트-유기 저분자 호스트 혼합 발광층은 증착 방법을 이용하여 물질 종류, 물질 간 비율 및 증착 속도에 따라 발광층의 에너지 준위, 전하 수송도, 발광 파장을 조절할 수 있다. 또한 이를 통해 발광 소자의 전자-정공 재조합 구역(electron-hole recombination zone)을 조절하여 전기발광 효율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다. 더욱이, 유기 저분자 호스트를 금속 할라이드 페로브스카이트와 공증착함으로써 형성되는 페로브스카이트 결정의 크기를 줄일 수 있다는 장점이 있다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0072(2013.01) H01L 51/0072(2013.01) H01L 51/0072(2013.01) H01L 51/0072(2013.01) H01L 51/0072(2013.01) H01L 51/0072(2013.01)
출원번호/일자 1020180068281 (2018.06.14)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0141469 (2019.12.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020200078603;
심사청구여부/일자 Y (2018.06.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 서울특별시 서초구
2 김영훈 서울특별시 관악구
3 조힘찬 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0582828-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0706373-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.12.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1242163-25
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-1242162-80
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0296627-44
9 [법정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0546449-19
10 법정기간연장승인서
 2020.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0078439-56
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2020.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0663055-01
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0662152-53
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2020.06.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0662153-09
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2020.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0512452-63
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에 정공주입층을 형성시키는 단계;상기 정공주입층 상에 페로브스카이트-유기 저분자 호스트 혼합 발광층을 형성시키되,진공에서 25℃보다 높고 1500℃보다 낮은 온도 조건에서 페로브스카이트 전구체 재료와 유기 저분자 호스트 재료를 가열하는 방식으로 증착하고 가열 후 기화된 재료들이 기판상에서 증착되는 과정에서 합성되어, 유기 저분자 호스트와 페로브스카이트 게스트가 균질하게 혼합된 상태로 페로브스카이트-유기 저분자 호스트 혼합 발광층을 형성시키는 단계;상기 발광층 상에 전자수송층을 형성시키는 단계;상기 전자수송층 상에 전자주입층을 형성시키는 단계; 및상기 전자주입층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기 저분자 호스트는 상기 페로브스카이트보다 큰 밴드갭을 가지고, 상기 페로브스카이트 게스트와 유기 저분자 호스트의 혼합 비율은 0
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제1항에 있어서,상기 유기 저분자 호스트는 HOMO 에너지 준위가 양극의 일함수 또는 페로브스카이트의 VBM보다 낮으며, LUMO 에너지 준위가 음극의 일함수 또는 페로브스카이트의 CBM보다 높은 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 진공은 10-10 내지 10-3 torr의 진공도의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2019240545 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.