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양극과 음극, 상기 양극과 음극 사이에 배치된 발광층,상기 양극과 상기 발광층 사이에 배치된, 정공주입층 및 정공수송층 중 적어도 하나의 제1 전하 수송층, 및상기 발광층과 상기 음극 사이에 배치된, 전자주입층 및 전자수송층 중 적어도 하나의 제2 전하 수송층을 포함하는 발광 소자에 있어서,상기 발광층에 인접한 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층 중에서 적어도 하나는 페로브스카이트 박막이고,상기 페로브스카이트 박막이 제1 전하 수송층으로 사용되는 경우, 상기 페로브스카이트 박막의 VBM의 에너지 준위는 발광층의 HOMO의 에너지 준위보다 낮으며,상기 페로브스카이트 박막이 제2 전하 수송층으로 사용되는 경우, 상기 페로브스카이트 박막의 CBM의 에너지 준위는 발광층의 LUMO의 에너지 준위보다 높은 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전하 수송층의 페로브스카이트 박막과 제2 전하 수송층의 페로브스카이트 박막은 동일하거나 상이한 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 박막을 구성하는 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An-1PbnI3n+1(n은 2 내지 6사이의 정수)의 구조를 포함하고, 상기 A는 유기암모늄 이온, 유기 아미디늄(amidinium) 이온, 유기 포스포늄 이온 또는 알칼리 금속 이온이나 유도체이고, 상기 B는 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토금속, 유기물, 무기물, 암모늄이나 유도체 또는 이들의 조합이고, 상기 X는 할로겐 이온 또는 서로 다른 할로겐 이온의 조합인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제3항에 있어서,상기 A는 CH(NH2)2, CxH2x+1(CNH3), (CH3NH3)n,((CxH2x+1)nNH3)n(CH3NH3)n, R(NH2)2(R=alkyl), (CnH2n+1NH3)n, CF3NH3, (CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)n(CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)n, (CnF2n+1NH3)n (n 및 x는 1~100의 정수), Na, K, Rb, Cs, Fr 또는 이들의 조합이나 유도체이고,상기 B는 Pb, Mn, Cu, Ga, Ge, In, Al, Sb, Bi, Po, Sn, Eu, Yb, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd, Ca, Sr, 유기암모늄, 무기암모늄, 유기양이온 또는 이들의 조합이나 유도체이며,상기 X는 Cl, Br, I, 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제3항에 있어서,상기 페로브스카이트 박막 내의 결정의 크기는 1 nm 내지 5 ㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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6
제3항에 있어서,상기 페로브스카이트 박막의 두께는 10 nm 내지 5 ㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제3항에 있어서,상기 페로브스카이트 박막은 페로브스카이트 전구체인 AX 화합물과 BX2 화합물을 각각 다른 도가니 또는 크루서블(crucible)에 넣고 공증착 또는 순차적으로 증착하여 기판상에서 직접 결정이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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기판 상에 양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에 정공주입층 및 정공수송층 중 적어도 하나의 제1 전하 수송층을 형성시키는 단계;상기 제1 전하 수송층 상에 발광층을 형성시키는 단계;상기 발광층 상에 전자주입층 및 전자수송층 중 적어도 하나의 제2 전하 수송층을 형성시키는 단계; 및상기 제2 전하 수송층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층을 형성시키는 단계 중에서 적어도 하나의 단계는 증착 방법을 사용하여 페로브스카이트 박막을 형성시키는 단계이고,상기 페로브스카이트 박막이 제1 전하 수송층으로 사용되는 경우, 상기 페로브스카이트 박막의 VBM의 에너지 준위는 발광층의 HOMO의 에너지 준위보다 낮으며,상기 페로브스카이트 박막이 제2 전하 수송층으로 사용되는 경우, 상기 페로브스카이트 박막의 CBM의 에너지 준위는 발광층의 LUMO의 에너지 준위보다 높은 것을 특징으로 하는, 발광 소자의 제조방법
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기판 상에 음극을 형성하는 단계;상기 음극 상에 전자주입층 및 전자수송층 중 적어도 하나의 제2 전하 수송층을 형성시키는 단계;상기 제2 전하 수송층 상에 발광층을 형성시키는 단계;상기 발광층 상에 정공주입층 및 정공수송층 중 적어도 하나의 제1 전하 수송층을 형성시키는 단계; 및상기 제1 전하 수송층 상에 양극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층을 형성시키는 단계 중에서 적어도 하나의 단계는 증착 방법을 사용하여 페로브스카이트 박막을 형성시키는 단계이고,상기 페로브스카이트 박막이 제1 전하 수송층으로 사용되는 경우, 상기 페로브스카이트 박막의 VBM의 에너지 준위는 발광층의 HOMO의 에너지 준위보다 낮으며,상기 페로브스카이트 박막이 제2 전하 수송층으로 사용되는 경우, 상기 페로브스카이트 박막의 CBM의 에너지 준위는 발광층의 LUMO의 에너지 준위보다 높은 것을 특징으로 하는, 발광 소자의 제조방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,상기 증착 방법은 진공 증착(evaporation), 열 증착(thermal deposition), 플래쉬 증착(flash deposition), 레이저 증착(laser deposition), 화학적 증기 증착 (chemical vapor deposition), 원자층 증착(atomic layer deposition), 물리 기상 증착(physical vapor deposition), 물리화학적 공-진공증착 (physical-chemical co-evaporation deposition), 순차적인 증착 (sequential vapor deposition) 및 용액 공정 조합 증착 (solution process-assisted thermal deposition)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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