맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

대량생산이 가능한 실리콘 나노구조체 제조방법

  • 기술번호 : KST2020000313
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예는 실리콘 나노구조체의 대량생산방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예는 습식식각을 통한 실리콘 기판의 식각을 이용한 실리콘 나노와이어 또는 실리콘 나노튜브와 같은 실리콘 나노구조체의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 식각공정 및 식각을 통해 생성된 실리콘 나노구조체의 기판으로부터의 분리공정을 반복 수행함으로써 실리콘 나노구조체의 대량생산이 가능하다.
Int. CL H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 21/033 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020180074804 (2018.06.28)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0001811 (2020.01.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조성준 광주광역시 북구
2 정건영 광주광역시 북구
3 정희수 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0637370-65
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 촉매에 의한 식각을 방지하기 위한 마스크 패턴이 형성된 실리콘기판을 준비하는 단계;b) 상기 실리콘기판 상에 촉매층을 형성하는 단계;c) 상기 촉매층에 의한 촉매반응을 통해 상기 실리콘기판을 식각하여 실리콘 나노구조체를 형성하는 단계; 및d) 레이저 블레이드를 이용하여 상기 실리콘 나노구조체를 상기 실리콘기판으로부터 분리하는 단계;를 포함하고,상기 실리콘기판 상에 남아있는 촉매층을 이용하여 상기 c)단계 및 d)단계를 1회 이상 반복수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 마스크 패턴은 복수개의 도트(dot) 또는 링(ring) 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 마스크 패턴은 크롬(Cr) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 b)단계는 화학적 기상 증착(CVD) 또는 물리적 기상 증착(PVD)를 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 b)단계는 상기 촉매층의 두께가 15nm 내지 100nm가 되도록 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 촉매층은 금(Au) 또는 은(Ag)을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 c)단계는 식각용액을 이용한 습식식각(wet etching)을 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
8 8
제5항에 있어서,상기 식각용액은 인산, 질산, 불산 또는 초산을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 d)단계는 상기 실리콘 나노구조체를 레이저 블레이드를 이용하여 상기 실리콘기판상에 형성된 실리콘 나노구조체의 뿌리부분 주위에 남아있는 촉매층이 소실되지 않도록 비스듬히 깎아내는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.