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서로 마주하는 제1 전극과 제2 전극, 그리고상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 활성층을 포함하고,상기 활성층은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하는 유기 소자:[화학식 1]상기 화학식 1에서,L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가의 C3 내지 C30 헤테로고리기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합이고,R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 에스테르기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가의 C3 내지 C30 헤테로고리기, 이들의 융합 고리 또는 이들의 조합이고,X1 및 X2는 각각 독립적으로 전자당김기(electron withdrawing group)로 치환된 탄화수소 고리기, 전자당김기로 치환된 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 질소 함유 고리기, 이들의 융합 고리 또는 이들의 조합이고m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,단 n1과 n2가 동시에 0은 아니다
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제1항에서,상기 화학식 1의 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 티오페닐렌기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐렌기, 치환 또는 비치환된 셀레노페닐렌기, 치환 또는 비치환된 텔루로페닐렌기, 치환 또는 비치환된 실롤릴렌기, 치환 또는 비치환된 피롤렌기, 치환 또는 비치환된 이미다졸릴렌기, 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐렌기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌기, 이들의 융합 고리 또는 이들의 조합인 유기 소자
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제1항에서,상기 전자당김기는 할로겐 원소, C1 내지 C20 할로알킬기, 시아노기, 디시아노비닐기 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 소자
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제1항에서,상기 화학식 1의 X1 및 X2는 각각 독립적으로 하기 그룹 1에 나열된 기 중 하나인 유기 소자
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제1항에서,상기 화합물은 하기 화학식 1a로 표현되는 유기 소자
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제5항에서,상기 화학식 1a의 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 티오페닐렌기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐렌기, 치환 또는 비치환된 셀레노페닐렌기, 치환 또는 비치환된 텔루로페닐렌기, 치환 또는 비치환된 실롤릴렌기, 치환 또는 비치환된 피롤렌기, 치환 또는 비치환된 이미다졸릴렌기, 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐렌기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌기, 이들의 융합 고리 또는 이들의 조합인 유기 소자
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제1항에서,상기 화합물의 HOMO 에너지 준위는 5
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제1항에서,상기 화합물은 적색 파장 영역, 녹색 파장 영역 및 청색 파장 영역 중 어느 하나의 파장 영역의 빛을 선택적으로 흡수하는 유기 소자
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제1항에서,상기 화합물은 n형 반도체이고,상기 활성층은 상기 화합물과 pn 접합을 형성할 수 있는 p형 반도체를 더 포함하는 유기 소자
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제9항에서,상기 p형 반도체의 HOMO 에너지 준위는 5
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제9항에서,상기 화합물은 적색 파장 영역, 녹색 파장 영역 및 청색 파장 영역 중 어느 하나의 파장 영역의 빛을 선택적으로 흡수하고,상기 p형 반도체는 상기 화합물의 흡수 파장 영역과 동일한 파장 영역의 빛을 선택적으로 흡수하는 유기 소자
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제11항에서,상기 화합물의 피크 흡수 파장과 상기 p형 반도체의 피크 흡수 파장은 약 410nm 내지 480nm, 약 510nm 내지 560nm 및 약 620nm 내지 690nm 중 어느 하나에 공통적으로 속하는 유기 소자
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제1항에서,상기 활성층은 플러렌 또는 플러렌 유도체를 더 포함하는 유기 소자
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 유기 소자를 포함하는 전자 소자
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 유기 소자를 포함하는 이미지 센서
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제15항에서,상기 유기 소자의 일면에 위치하는 반도체 기판을 포함하고,상기 반도체 기판은 복수의 광 다이오드를 포함하는 이미지 센서
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제16항에서,상기 유기 소자는 적색 파장 영역, 녹색 파장 영역 및 청색 파장 영역 중 어느 하나인 제1 가시광을 선택적으로 흡수하고,상기 광 다이오드는적색 파장 영역, 녹색 파장 영역 및 청색 파장 영역 중 어느 하나인 제2 가시광을 감지하는 제1 광 다이오드, 그리고적색 파장 영역, 녹색 파장 영역 및 청색 파장 영역 중 어느 하나인 제3 가시광을 감지하는 제2 광 다이오드를 포함하고,상기 제1 가시광, 상기 제2 가시광 및 상기 제3 가시광은 서로 다른이미지 센서
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제17항에서,상기 유기 소자의 상부 또는 하부에 위치하는 색 필터 층을 더 포함하는 이미지 센서
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제18항에서,상기 색 필터 층은상기 제1 광 다이오드와 중첩하게 위치하고 상기 제2 가시광을 포함한 빛을 선택적으로 투과시키는 제1 색 필터, 그리고상기 제2 광 다이오드와 중첩하게 위치하고 상기 제3 가시광을 포함한 빛을 선택적으로 투과시키는 제2 색 필터를 더 포함하는 이미지 센서
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제15항에 따른 이미지 센서를 포함하는 전자 장치
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