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페로브스카이트 발광 소자

  • 기술번호 : KST2020006581
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 페로브스카이트 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 종래의 정공 수송층에 포함된 PEDOT:PSS를 암모늄 계열 카운터 이온을 가지는 음이온성 공액 고분자로 대체함으로써 PEDOT:PSS에 의해 야기되는 발광 소자의 특성 저하를 방지하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 공액 고분자를 포함하는 정공 수송층에 의한 페로브스카이트 발광층의 결함을 패시베이션하고 결정성장을 증대시키으로써 발광특성을 크게 향상시키는 것이 가능하다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0052(2013.01) H01L 51/0052(2013.01) H01L 51/0052(2013.01) H01L 51/0052(2013.01)
출원번호/일자 1020180152009 (2018.11.30)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 고려대학교 산학협력단, 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0065484 (2020.06.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
3 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우한영 경기도 파주시
2 장기석 경기도 파주시
3 송명훈 경기도 파주시
4 문정민 경기도 파주시
5 최수석 경기도 파주시
6 응웬탄루안 경기도 파주시
7 이승진 경기도 파주시
8 장충현 경기도 파주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-1200512-59
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0576658-89
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0758713-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 정공 수송층;상기 정공 수송층 상에 위치하는 페로브스카이트 발광층;상기 페로브스카이트 발광층 상에 위치하는 전자 수송층; 및상기 전자 수송층 상에 위치하는 제2 전극;을 포함하며,상기 정공 수송층은 하기의 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는,페로브스카이트 발광 소자:[화학식 1][화학식 2]여기서,Ar1은 하기의 화학식 3으로 표시되며,[화학식 3]R1 및 R2는 각각 독립적으로 -CnH2n-X-Y+ (n은 1 내지 20 사이의 정수) 및 -Ar3-(O-CnH2n-X-Y+)m (n은 1 내지 20 사이의 정수, m은 1 내지 3 사이의 정수)로부터 선택되며,Ar3은 페닐, 피로릴, 퓨라닐, 싸이오페닐 또는 셀레노페닐이며,X-는 SO3-, CO2- 또는 PO32-이며, Y+는 H+, Li+, Na+, K+, Rb+, Cs+, NH4+ 또는 NR3R4R5R6+이며,R3 내지 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20개의 알킬기로부터 선택되며,Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴이며,m은 1 내지 1,000,000 사이의 정수이다
2 2
제1항에 있어서,상기 정공 수송층의 HOMO 준위는 5
3 3
제1항에 있어서,상기 정공 수송층의 LUOMO 준위와 상기 페로브스카이트 발광층의 LUMO 준위의 차이는 0
4 4
제1항에 있어서,상기 정공 수송층의 표면 수접촉각은 10° 이상인,페로브스카이트 발광 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 발광층의 두께는 500 nm 이하인,페로브스카이트 발광 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 정공 수송층은 상기 페로브스카이트 발광 소자의 구동 방향으로 인가되는 전기적 스트레스에 의해 후처리(post-treatment)된 층인,페로브스카이트 발광 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 소자는 봉지 후 상온의 질소 분위기 하에서 적어도 12시간 이상 에이징된,페로브스카이트 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
패밀리 정보가 없습니다

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2020111650 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.