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나노 화소 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020006593
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1전극층; 상기 제1전극 상에 배치된 나노 화소 형성층; 상기 나노 화소 형성층 상에 배치되는 유기물층; 및 상기 유기물층 상에 배치되는 제2전극층; 을 포함하고, 상기 나노 화소 형성층은 상하를 관통되어 형성된 복수의 홀을 포함하고, 상기 유기물층 및 상기 제2전극층은 상기 나노 화소 형성층의 홀 영역에 형성된 오목부를 포함하고, 상기 나노 화소 형성층에 형성된 복수의 홀 영역 각각은 나노 화소 형성 영역인 나노 화소 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01)
출원번호/일자 1020190000160 (2019.01.02)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2122710-0000 (2020.06.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.01.02)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 서울특별시 은평구
2 황하 경기도 양평군
3 박철휘 서울특별시 동대문구
4 최준희 경기도 부천시 원미구
5 이동준 서울특별시 성북구
6 이주성 울산광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)
3 유광철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층 (양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
4 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0001775-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0092038-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0791692-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1333023-54
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-1333026-91
8 등록결정서
Decision to grant		 2020.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0363298-76
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치된 제1전극층;상기 제1전극 상에 배치된 나노 화소 형성층;상기 나노 화소 형성층 상에 배치되는 유기물층; 및상기 유기물층 상에 배치되는 제2전극층; 을 포함하고,상기 나노 화소 형성층은 상하를 관통되어 형성된 복수의 홀을 포함하고,상기 유기물층 및 상기 제2전극층은 상기 나노 화소 형성층의 홀 영역에 형성된 오목부를 포함하고,상기 나노 화소 형성층에 형성된 복수의 홀 영역 각각은 나노 화소 형성 영역이고,상기 나노 화소 형성층은 절연성이며, 포지티브 타입의 레이저 간섭 리소그래피용 감광층이고,상기 복수의 홀이 형성된 영역은 전자와 홀이 결합하여 엑시톤을 형성하는 영역이며,상기 복수의 홀이 형성되지 않은 영역은 엑시톤이 확산되는 영역인 나노 화소 유기 발광 다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 나노 화소 형성층 상에서 상기 복수의 홀은 규칙적으로 배열된 나노 화소 유기 발광 다이오드
3 3
제2항에 있어서,상기 나노 화소 형성층의 두께는 20nm 내지 50nm 인 나노 화소 유기 발광 다이오드
4 4
삭제
5 5
기판 상에 제1전극층을 배치하는 단계;상기 제1전극층 상에 나노 화소 형성층을 배치하는 단계;상기 나노 화소 형성층에 복수의 홀을 형성하는 단계;상기 나노 화소 형성층 상에 유기물층을 배치하는 단계; 및상기 유기물층 상에 제2전극층을 배치하는 단계; 를 포함하고,상기 유기물층을 배치하는 단계 및 상기 제2전극층을 배치하는 단계에서,상기 유기물층 및 상기 제2전극층은 상기 나노 화소 형성층의 홀 영역에 대응되도록 오목부를 형성하고,상기 나노 화소 형성층은 절연성이며, 포지티브 타입의 레이저 간섭 리소그래피용 감광층이고,상기 복수의 홀이 형성된 영역은 전자와 홀이 결합하여 엑시톤을 형성하는 영역이며,상기 복수의 홀이 형성되지 않은 영역은 엑시톤이 확산되는 영역으로 구성되는 나노 화소 유기 발광 다이오드의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 복수의 홀을 형성하는 단계에서나노 화소 형성층 상에서 상기 복수의 홀은 규칙적으로 배열되는 나노 화소 유기 발광 다이오드의 제조 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 나노 화소 형성층을 배치하는 단계에서상기 나노 화소 형성층의 두께는 20nm 내지 50nm 인 나노 화소 유기 발광 다이오드의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제5항에 있어서,상기 복수의 홀을 형성하는 단계에서상기 복수의 홀은 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 상기 나노 화소 형성층을 관통하도록 형성되는 나노 화소 유기 발광 다이오드의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 복수의 홀을 형성하는 단계에서노광 에너지를 제어하여 상기 복수의 홀의 직경 및 상기 복수의 홀간 피치를 조절하는 나노 화소 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 고려대학교 (이공)중견연구자지원(1.5억초과~3억이하) 유연 유기발광소자의 효율 향상을 위한 레이저 간섭 리소그래피 기반 굴절률 매칭 나노격자 광추출 기술 및 유연 투명 마이크로 섬유 전극 개발