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양극과 음극, 상기 양극과 음극 사이에 배치된 발광층,상기 양극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공주입층,상기 발광층과 상기 음극 사이에 배치된 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 발광 소자에 있어서,상기 발광층은 페로브스카이트보다 큰 밴드갭을 가지는 유기 저분자 호스트에, 페로브스카이트가 게스트로 포함된, 페로브스카이트-유기 저분자 호스트 혼합 발광층이고,상기 발광층의 VBM의 에너지 준위는 정공주입층의 HOMO의 에너지 준위보다는 더 낮으며, 전자수송층의 HOMO의 에너지 준위보다는 더 높고,상기 발광층의 CBM의 에너지 준위는 정공주입층의 LUMO의 에너지 준위보다는 더 낮고, 상기 유기 저분자 호스트는 HOMO 에너지 준위가 페로브스카이트의 VBM보다 낮으며, LUMO 에너지 준위가 페로브스카이트의 CBM보다 높고,상기 페로브스카이트와 유기 저분자 호스트의 혼합 비율은 0
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제1항에 있어서,상기 유기 저분자 호스트는 하기 화학식 a의 1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene (TPBI), 2,4,6-Tris[3-(diphenylphosphinyl)phenyl]-1,3,5-triazine (PO-T2T), 하기 화학식 b의 Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Alq3), 4,6-Bis(3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl)-2-methylpyrimidine (B3PYMPM), Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane (3TPYMB), 하기 화학식 c의 4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl (CBP), 하기 화학식 d의 9,10-di(2-naphthyl)anthracene (ADN), 하기 화학식 e의 Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine (TCTA), 하기 화학식 f의 1,1-Bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane (TAPC), 하기 화학식 g의 2-tert-butyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene (TBADN), 하기 화학식 h의 E3, 및 하기 화학식 i의 Bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium (BeBq2)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 진공은 10-10 내지 10-3 torr의 진공도의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An-1PbnI3n+1(n은 2 내지 6사이의 정수)의 구조를 포함하고, 상기 A는 유기암모늄 이온, 유기 아미디늄(amidinium) 이온, 유기 포스포늄 이온 또는 알칼리 금속 이온이나 유도체이고, 상기 B는 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토금속, 유기물, 무기물, 암모늄이나 유도체 또는 이들의 조합이고, 상기 X는 할로겐 이온 또는 서로 다른 할로겐 이온의 조합인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제4항에 있어서,상기 A는 CH(NH2)2, CxH2x+1(CNH3), (CH3NH3)n,((CxH2x+1)nNH3)n(CH3NH3)n, R(NH2)2(R=alkyl), (CnH2n+1NH3)n, CF3NH3, (CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)n(CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)n, (CnF2n+1NH3)n (n 및 x는 1~100의 정수), Na, K, Rb, Cs, Fr 또는 이들의 조합이나 유도체이고,상기 B는 Pb, Mn, Cu, Ga, Ge, In, Al, Sb, Bi, Po, Sn, Eu, Yb, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd, Ca, Sr, 유기암모늄, 무기암모늄, 유기양이온 또는 이들의 조합이나 유도체이며,상기 X는 Cl, Br, I, 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트의 발광 파장은 200nm 내지 1300nm인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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