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전류 반복기를 사용하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 비트라인에 대한 스위치 역할을 하는 비트라인 PMOS; 상기 비트라인 PMOS의 하단에 배치되는 OTS(Ovonic Threshold Switch); 상기 OTS의 하단에 배치되는 상변화층; 상기 상변화층의 하단에 배치되어 소스라인에 대한 스위치 역할을 하는 소스라인 NMOS; 상기 비트라인 PMOS의 상단 및 상기 소스라인 NMOS의 하단에 각각 배치된 채, 가변 저항으로 동작하여 상기 상변화 메모리 소자의 센싱 마진을 증폭시키는 두 개의 전류 반복기들; 및 상기 두 개의 전류 반복기들 사이에 배치되는 기준 레지스터를 포함하고, 상기 두 개의 전류 반복기들은, 상기 비트라인 PMOS의 상단에 배치된 채 상기 상변화층의 저항 상태와 무관하게 항상 드레인 전압이 인가되어 항상 온(On) 상태로 최대의 전류가 흐르는 비트라인 전류 반복기; 및 상기 소스라인 NMOS의 하단에 배치된 채, 상기 상변화층의 저항 상태에 의해 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 변화됨에 따라 가변 저항으로 동작하며 인가되는 전압이 변화되고, 상기 인가되는 전압의 변화에 응답하여 흐르는 전류가 변화되어 상기 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 변화시키는 소스라인 전류 반복기를 포함하며, 상기 소스라인 전류 반복기는, 상기 상변화층이 고 저항 상태인 경우 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 감소됨에 따라 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압이 감소되고, 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압의 감소에 응답하여 상기 소스라인 전류 반복기에 흐르는 전류가 감소되어 상기 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 증가시키며, 상기 상변화층이 저 저항 상태인 경우 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 증가됨에 따라 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압이 증가되고, 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압의 증가에 응답하여 상기 소스라인 전류 반복기에 흐르는 전류가 증가되어 상기 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 감소시키는 상변화 메모리 소자
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비트라인에 대한 스위치 역할을 하는 비트라인 PMOS, 상기 비트라인 PMOS의 하단에 배치되는 OTS(Ovonic Threshold Switch), 상기 OTS의 하단에 배치되는 상변화층 및 상기 상변화층의 하단에 배치되어 소스라인에 대한 스위치 역할을 하는 소스라인 NMOS를 포함하는 상변화 메모리 소자에서 상기 상변화 메모리 소자의 센싱 마진을 증폭시키는 전류 반복기 회로에 있어서, 상기 비트라인 PMOS의 상단에 배치된 채 상기 상변화층의 저항 상태와 무관하게 항상 드레인 전압이 인가되어 항상 온(On) 상태로 최대의 전류가 흐르는 비트라인 전류 반복기; 상기 소스라인 NMOS의 하단에 배치된 채 상기 상변화층의 저항 상태에 의해 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 변화됨에 따라 가변 저항으로 동작하며 인가되는 전압이 변화되고, 상기 인가되는 전압의 변화에 응답하여 흐르는 전류가 변화되어 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 변화시키는 소스라인 전류 반복기; 및 상기 비트라인 전류 반복기 및 상기 소스라인 전류 반복기 사이에 배치되는 상기 기준 레지스터를 포함하고, 상기 소스라인 전류 반복기는, 상기 상변화층이 고 저항 상태인 경우 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 감소됨에 따라 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압이 감소되고, 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압의 감소에 응답하여 상기 소스라인 전류 반복기에 흐르는 전류가 감소되어 상기 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 증가시키며, 상기 상변화층이 저 저항 상태인 경우 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 증가됨에 따라 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압이 증가되고, 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압의 증가에 응답하여 상기 소스라인 전류 반복기에 흐르는 전류가 증가되어 상기 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 감소시키는 전류 반복기 회로
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전류 반복기를 사용하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 비트라인에 대한 스위치 역할을 하는 복수의 비트라인 PMOS들; 상기 복수의 비트라인 PMOS들 의 하단에 배치되는 PRAM 어레이; 상기 PRAM 어레이의 하단에 배치되어 소스라인에 대한 스위치 역할을 하는 복수의 소스라인 NMOS들; 상기 복수의 비트라인 PMOS들의 상단 및 상기 복수의 소스라인 NMOS들의 하단에 각각 배치된 채, 가변 저항으로 동작하여 상기 상변화 메모리 소자의 센싱 마진을 증폭시키는 두 개의 전류 반복기들; 및 상기 두 개의 전류 반복기들 사이에 배치되는 기준 레지스터를 포함하고, 상기 두 개의 전류 반복기들은, 상기 복수의 비트라인 PMOS들의 상단에 배치된 채 상기 PRAM 어레이에 포함되는 선택된 저항 상태와 무관하게 항상 드레인 전압이 인가되어 항상 온(On) 상태로 최대의 전류가 흐르는 비트라인 전류 반복기; 및 상기 복수의 소스라인 NMOS들의 하단에 배치된 채, 상기 PRAM 어레이에 포함되는 선택된 상변화층의 저항 상태에 의해 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 변화됨에 따라 가변 저항으로 동작하며 인가되는 전압이 변화되고, 상기 인가되는 전압의 변화에 응답하여 흐르는 전류가 변화되어 상기 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 변화시키는 소스라인 전류 반복기를 포함하며, 상기 소스라인 전류 반복기는, 상기 선택된 상변화층이 고 저항 상태인 경우 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 감소됨에 따라 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압이 감소되고, 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압의 감소에 응답하여 상기 소스라인 전류 반복기에 흐르는 전류가 감소되어 상기 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 증가시키며, 상기 선택된 상변화층이 저 저항 상태인 경우 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 증가됨에 따라 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압이 증가되고, 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압의 증가에 응답하여 상기 소스라인 전류 반복기에 흐르는 전류가 증가되어 상기 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 감소시키는 상변화 메모리 소자
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비트라인에 대한 스위치 역할을 하는 비트라인 PMOS, 상기 비트라인 PMOS의 하단에 배치되는 OTS(Ovonic Threshold Switch), 상기 OTS의 하단에 배치되는 상변화층, 상기 상변화층의 하단에 배치되어 소스라인에 대한 스위치 역할을 하는 소스라인 NMOS, 상기 비트라인 PMOS의 상단에 배치된 채 상기 상변화층의 저항 상태와 무관하게 항상 드레인 전압이 인가되어 항상 온(On) 상태로 최대의 전류가 흐르는 비트라인 전류 반복기 및 기 소스라인 NMOS의 하단에 배치된 채 상기 상변화층의 저항 상태에 따라 가변 저항으로 동작하는 소스라인 전류 반복기 및 상기 비트라인 전류 반복기와 상기 소스라인 전류 반복기 사이에 배치되는 기준 레지스터를 포함하는 상변화 메모리 소자에서의 기준 전압 설정 방법에 있어서, 상기 소스라인 전류 반복기에서, 상기 상변화층의 저항 상태에 의해 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 변화됨에 따라 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압을 변화시키는 단계; 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압의 변화에 응답하여 상기 소스라인 전류 반복기에 흐르는 전류를 변화시키는 단계; 및 상기 소스라인 전류 반복기에 흐르는 전류의 변화에 따라, 상기 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 변화시키는 단계를 포함하고, 상기 기준 하단 전압을 변화시키는 단계는, 상기 상변화층이 고 저항 상태인 경우 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 감소됨에 따라 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압이 감소되고, 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압의 감소에 응답하여 상기 소스라인 전류 반복기에 흐르는 전류가 감소되어 상기 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 증가시키는 단계; 또는 상기 상변화층이 저 저항 상태인 경우 상기 상변화 메모리 소자에 흐르는 전류가 증가됨에 따라 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압이 증가되고, 상기 소스라인 전류 반복기에 인가되는 전압의 증가에 응답하여 상기 소스라인 전류 반복기에 흐르는 전류가 증가되어 상기 기준 레지스터의 기준 하단 전압을 감소시키는 단계 중 어느 하나의 단계를 포함하는 기준 전압 설정 방법
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