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유기 반도체 박막에서의 도판트 분자 확산 억제 방법

  • 기술번호 : KST2020013730
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 반도체 박막에서의 도판트 분자 확산 억제 방법으로, 기판 상에 유기 반도체 박막을 형성하는 단계와, 유기 반도체 박막의 상부에 도판트 분자를 열증착 단계와, 유기 반도체 박막의 상부를 플라즈마 에칭하는 단계를 포함하되, 도판트 분자 및 유기 반도체는 도판트 분자가 유기 반도체 내에서 고체상 확산(solid-state diffusion)되는 물질 조합이다.
Int. CL H01L 51/10 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/05 (2006.01.01)
CPC H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01)
출원번호/일자 1020190037001 (2019.03.29)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0114749 (2020.10.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.03.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이탁희 서울특별시 송파구
2 김영록 경기도 고양시 일산동구
3 강기훈 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 신지 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0326232-02
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0329323-73
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2020-0006177-38
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0330768-61
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0726126-55
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0726127-01
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0802252-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
기판 상에 유기 반도체 박막을 형성하는 단계; 유기 반도체 박막의 상부에 도판트 분자를 열증착 단계; 및유기 반도체 박막의 상부를 플라즈마 에칭하는 단계:를 포함하되, 도판트 분자 및 유기 반도체는 도판트 분자가 유기 반도체 내에서 고체상 확산(solid-state diffusion)되는 물질 조합인 유기 반도체 박막에서의 도판트 분자 확산 억제 방법
2 2
제1항에 있어서, 유기 반도체는poly 2,5-bis(3-hexadecylthiophen-2-yl) thieno [3,2-b] thiophene (PBTTT)이고, 도판트 분자는 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4-TCNQ)인 유기 반도체 박막에서의 도판트 분자 확산 억제 방법
3 3
제1항에 있어서, 에칭된 유기 반도체 박막의 상부에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 반도체 박막에서의 도판트 분자 확산 억제 방법
4 4
제3항에 있어서, 보호막을 형성하는 단계는에칭한 유기 반도체 박막 소자를 질소 환경의 글러브 박스에서 불소화 폴리머(CYTOP) 용액을 200rpm으로 90초 동안 스핀코팅한 후, 80℃에서 2분 동안 가열하는 유기 반도체 박막에서의 도판트 분자 확산 억제 방법
5 5
제1항에 있어서, 열증착하는 단계는유기 반도체 박막의 상부에 복수의 도판트 분자를 이격된 형태로 열증착하는 유기 반도체 박막에서의 도판트 분자 확산 억제 방법
6 6
제1항에 있어서, 유기 반도체 박막을 형성하는 단계는유기 반도체 물질인 poly[2,5-bis(3-tetradecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene] (PBTTT)을 1,2-dichlorobenzene을 용매로 하여 9mg/ml 용액으로 준비하는 단계와, PBTTT 용액을 110도까지 가열하는 단계와, PBTTT 필름을 질소 환경의 글러브 박스 안에서 1500rpm으로 45초 동안 스핀코팅하는 단계와, 스핀 코팅된 후, 180℃에서 20분 동안 가열한 후, 냉각시키는 단계를 포함하는 유기 반도체 박막에서의 도판트 분자 확산 억제 방법
7 7
제1항에 있어서, 열증착하는 단계는2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4-TCNQ) 도판트 분자는 열증착기를 이용하여 10nm 두께로 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 리더연구자지원사업(창의연구자) 분자나노소자창의연구단