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레지스트 화합물, 이를 사용한 패턴 형성 방법, 및 이를 사용한 반도체 소자 제조 방법

기술번호 : KST2021002874
담당센터 : 인천기술혁신센터
전화번호 : 032-420-3580

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	레지스트 화합물, 이를 사용한 패턴 형성 방법, 및 반도체 소자 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따르면, 화합물은 아래의 화학식 1로 표시될 수 있다. [화학식 1]
Int. CL	C07C 39/15 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) G03F 7/32 (2006.01.01) G03F 7/004 (2006.01.01)
CPC	C07C 39/15(2013.01) G03F 7/2002(2013.01) G03F 7/32(2013.01) G03F 7/004(2013.01)
출원번호/일자	1020190113359 (2019.09.16)
출원인	인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2021-0032090 (2021.03.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2019.09.16)
심사청구항수	17

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	인하대학교 산학협력단	대한민국	인천광역시 미추홀구

발명자

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번호	이름	주소
1	이진균	인천광역시 연수구
2	문정석	전라북도 고창군
3	오현택	인천광역시 계양구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2019.09.16	수리 (Accepted)	1-1-2019-0940847-06
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2020.07.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2020.09.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0161635-56
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2020.10.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0750617-15
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.12.28	수리 (Accepted)	1-1-2020-1418447-38
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2020.12.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-1418448-84

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 아래의 화학식 1로 표시되는 화합물
2	2 제 1항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 적어도 하나는 아래의 화학식 2로 표시되는 화합물
3	3 제 2항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 물질은 아래의 화학식 2-1 내지 화학식 2-3으로 표시되는 물질들 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 화합물
4	4 제 2항에 있어서, 상기 화학식1에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 다른 하나는 화학식 3으로 표시되는 화합물
5	5 제 2항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 다른 하나는 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 화합물
6	6 제 1항에 있어서, 상기 화학식 1에서, Z는 화학식 Z로 표시되는 화합물
7	7 제 1항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 적어도 하나는 화학식 6으로 표시되는 화합물
8	8 제 7항에 있어서, 상기 화학식 1에서, Z는 수소, 중수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 및 탄소수 5 내지 15의 치환 또는 비치환된 방향족 고리 중에서 어느 하나인 화합물
9	9 제 1항에 있어서, 상기 화합물은 100℃ 내지 180℃의 유리 전이 온도를 갖는 화합물
10	10 제 1항에 있어서, 상기 화합물을 사용한 패턴 형성 방법
11	11 기판 상에 아래의 화학식 1로 표시되는 화합물을 도포하여, 레지스트막을 형성하는 것; 및상기 레지스트막을 패터닝하는 것을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
12	12 제 11항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 적어도 하나는 탄소수 1 내지 20의 퍼할로겐화 알킬(perhalogenated alkyl) 또는 탄소수 1 내지 20의 퍼할로겐화 알킬 에테르(perhalogenated alkyl ether) 할로겐화 알킬을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
13	13 제 11항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 다른 하나는 탄소수 3 내지 20의 알케닐기를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
14	14 제 11항에 있어서, 상기 레지스트막을 패터닝하는 것은: 상기 레지스트막 상에 빛을 조사하는 것; 및 상기 현상액을 사용하여, 상기 레지스트막의 일부를 제거하는 것을 포함하고, 상기 빛은 전자선 또는 극자외선을 포함하고, 상기 현상액은 고불소계 용액을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
15	15 제 11항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 적어도 어느 하나는 아래의 화학식 2로 표시되는 반도체 소자 제조 방법
16	16 제 15항에 있어서, 상기 화학식1에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 다른 하나는 화학식 3, 화학식 4, 또는 화학식 5로 표시되는 반도체 소자 제조 방법
17	17 제 11항에 있어서, 상기 화학식 1에서, Z는 화학식 Z로 표시되는 반도체 소자 제조 방법
18	18 제 17항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 아래의 화학식 7I으로 표시되는 물질을 포함하는 반도체 소자 제조 방법

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2019.09.16	수리 (Accepted)	1-1-2019-0940847-06
2	선행기술조사의뢰서	2020.07.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2020.09.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0161635-56
4	의견제출통지서	2020.10.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0750617-15
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.12.28	수리 (Accepted)	1-1-2020-1418447-38
6	[명세서등 보정]보정서	2020.12.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-1418448-84

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